Ni-SiC復合電鑄層內應力的實驗研究.pdf

1、碩士學位論文NiSiCNiSiC復合電鑄層內應力的實驗研究復合電鑄層內應力的實驗研究ExperimentalStudyonInternalStressinNiSiCCompositeElectrofming作者姓名：趙雪嶺學科、專業(yè)：機械設計及其理論學號：21404134指導教師：杜立群教授完成日期：2017年6月7日大連理工大學DalianUniversityofTechnology大連理工大學碩士學位論文I摘要微電鑄工藝作為UVLI

2、GA技術的核心內容，被廣泛應用在微、納米制造領域，尤其適用于制作各種由傳統(tǒng)加工難以實現的或加工成本很高的精密、微細結構。然而微電鑄工藝獲得的鑄層存在內應力大的缺點，這不僅會導致鑄層變形，脫落等問題，甚至還會影響鑄層的疲勞性能，增加了微器件的制作難度和成本。本文針對微電鑄鑄層內應力大的問題，采用NiSiC復合電鑄的辦法，通過對比實驗和正交實驗，探索SiC顆粒及各工藝參數對電鑄層內應力的影響，最后得到了NiSiC復合電鑄層關于內應力的最優(yōu)工

3、藝參數。根據實驗條件和樣片條件選擇X射線衍射法測量NiSiC復合電鑄層的內應力。在研究復合電鑄工藝及歸納鎳基復合電鑄材料基礎上，選擇SiC顆粒作為復合電鑄的第二相粒子。隨后，基于SiC顆粒的特性，通過初步實驗研究，選擇了適合本實驗的SiC顆粒，并采用了合適的辦法對SiC顆粒進行了預處理。選擇微器件電鑄常用的氨基磺酸鎳電鑄體系，搭建了復合電鑄設備，通過實驗和理論分析研究了SiC顆粒對鑄層內應力的影響。研究發(fā)現：NiSiC復合電鑄層的內應力

4、小于純鎳電鑄層，其平均內應力值由350MPa減小至241.8MPa，內應力減小率為30.9%。在簡要分析金屬多晶生長的基礎上，從有機物的吸附方面分析了鑄層壓應力產生的機理。并且簡要分析了SiC顆粒對鑄層生長的影響，鑄層中摻雜進入的SiC顆粒增大了陰極表面的摩擦力，使層狀生長的Ni沉積層更加均勻。并且，SiC顆粒的嵌入增大了晶格微觀塑性變形的機率，進而釋放了內應力。為了進一步研究不同的工藝參數對NiSiC復合電鑄層內應力的影響，引入了正交