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1、與GTR、MOSFET相比,IGBT具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、電流容量大和驅(qū)動(dòng)功率小等特點(diǎn)。這些特點(diǎn)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于變頻器中,使變頻器產(chǎn)品具有更高可靠性、也使其結(jié)構(gòu)更加緊湊。IGBT驅(qū)動(dòng)器技術(shù)作為IGBT應(yīng)用中關(guān)鍵技術(shù)之一,其設(shè)計(jì)好壞關(guān)系到IGBT在變頻器系統(tǒng)中應(yīng)用的可靠性、效率和安全性能。
本文在闡述IGBT的結(jié)構(gòu)、工作特性的基礎(chǔ)上,分析了其驅(qū)動(dòng)電路的基本要求和保護(hù)要求,以及在驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中,分析運(yùn)用光電耦合和
2、脈沖變壓器實(shí)現(xiàn)IGBT隔離驅(qū)動(dòng)方式的優(yōu)缺點(diǎn),然后采納了一種新穎的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)——基于無(wú)磁芯變壓器的IGBT隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù),分析了無(wú)磁芯變壓器技術(shù)的原理及脈沖信號(hào)的傳輸。
應(yīng)用實(shí)例是針對(duì)低成本小功率通用變頻器的逆變單元IGBT模塊,提出基于無(wú)磁芯變壓器隔離技術(shù)驅(qū)動(dòng)芯片2ED020I12-F完整的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。并且為驅(qū)動(dòng)電路搭建試驗(yàn)平臺(tái),對(duì)其驅(qū)動(dòng)和保護(hù)功能進(jìn)行性能測(cè)試和驗(yàn)證,最終將驅(qū)動(dòng)電路接入變頻器主電路中驗(yàn)證其可行性。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該
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