絕緣柵雙極型晶體管結(jié)溫仿真模型及其應(yīng)用研究.pdf

1、近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)步和電力電子系統(tǒng)應(yīng)用要求的提高，功率變換器系統(tǒng)中IGBT模塊的功率等級(jí)和密度也越來(lái)越高，迫使其內(nèi)部的功率器件承受很高的熱應(yīng)力，尤其是對(duì)于風(fēng)力發(fā)電用變頻器系統(tǒng)這類工作環(huán)境惡劣且輸出功率波動(dòng)劇烈的應(yīng)用場(chǎng)合，IGBT模塊的壽命和長(zhǎng)期可靠性受到了顯著影響。結(jié)溫不僅同IGBT模塊的壽命及可靠性直接相關(guān)，還會(huì)影響其工作性能，甚至于改變變換器輸出端波形的諧波分布情況。因此，獲得既定工作條件下IGBT模塊內(nèi)功率器件的結(jié)溫狀

2、況，對(duì)于確保其安全可靠的使用和冷卻裝置的合理選擇等具有顯著意義，本文將對(duì)準(zhǔn)確仿真預(yù)測(cè)IGBT模塊結(jié)溫的方法，三相逆變器系統(tǒng)中結(jié)溫相關(guān)影響因素以及風(fēng)電變頻器系統(tǒng)中非平穩(wěn)工況下的結(jié)溫波動(dòng)情況開(kāi)展研究工作。
　　 所有的電力電子器件在運(yùn)行過(guò)程當(dāng)中都會(huì)產(chǎn)生一定的能量損耗，IGBT也不例外，通常這部分損耗在IGBT內(nèi)部以熱的形式存在，從而將改變電力電子器件內(nèi)部的溫度分布。本文首先對(duì)IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)和模塊內(nèi)部的熱傳遞過(guò)程進(jìn)行分析，并概

3、述模塊熱阻的定義，在此基礎(chǔ)之上對(duì)IGBT模塊內(nèi)部占據(jù)主導(dǎo)地位的一維熱傳導(dǎo)過(guò)程進(jìn)行了理論建模，接著推導(dǎo)工作結(jié)溫的計(jì)算方法。根據(jù)半導(dǎo)體物理理論的知識(shí)，歸納總結(jié)硅芯片參數(shù)的溫度效應(yīng)，然后基于此從實(shí)驗(yàn)和理論兩個(gè)角度對(duì)IGBT的溫度效應(yīng)進(jìn)行分析，從而闡述IGBT結(jié)溫的變化是電、熱兩種物理場(chǎng)綜合作用的結(jié)果。
　　 對(duì)IGBT器件的數(shù)學(xué)物理模型進(jìn)行研究，采用了一種參數(shù)隔離實(shí)驗(yàn)與經(jīng)驗(yàn)公式相結(jié)合的簡(jiǎn)便的模型參數(shù)提取方法，并利用提取到的特定型號(hào)IG

4、BT器件模型參數(shù)在Saber仿真軟件中對(duì)其瞬時(shí)結(jié)溫特性進(jìn)行仿真模擬，從而在功率半導(dǎo)體器件物理模型的角度分析器件工作結(jié)溫的動(dòng)態(tài)變化過(guò)程。
　　 針對(duì)變換器系統(tǒng)級(jí)模型中，利用IGBT器件的數(shù)學(xué)物理模型仿真結(jié)溫存在仿真步長(zhǎng)偏短、耗時(shí)嚴(yán)重、且易不收斂的問(wèn)題，本文采用基于數(shù)學(xué)運(yùn)算方法的損耗模型和描述模塊熱傳導(dǎo)過(guò)程的傳熱網(wǎng)絡(luò)模型相結(jié)合的方法來(lái)搭建基于系統(tǒng)級(jí)的IGBT模塊結(jié)溫預(yù)測(cè)模型，大大提升結(jié)溫仿真的速度，且模型考慮熱電耦合效應(yīng)，可以更加準(zhǔn)

5、確的模擬實(shí)際工況下IGBT模塊的結(jié)溫變化過(guò)程。
　　 根據(jù)IGBT模塊工作過(guò)程當(dāng)中，結(jié)溫峰值和穩(wěn)態(tài)波動(dòng)值是影響其可靠性和壽命的最直接因素，本文利用在MATLAB/Simulink中搭建的三相逆變器系統(tǒng)的IGBT模塊結(jié)溫仿真模型，詳細(xì)討論分析不同負(fù)載工況和工作環(huán)境對(duì)IGBT模塊結(jié)溫峰值和穩(wěn)態(tài)波動(dòng)值的影響，并針對(duì)風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中變頻器的具體應(yīng)用，仿真模擬一段時(shí)間內(nèi)非平穩(wěn)工況下IGBT模塊結(jié)溫的波動(dòng)情況，從而為IGBT模塊結(jié)溫的在線監(jiān)測(cè)