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文檔簡介
1、隨著移動通信技術(shù),3D技術(shù),GPS導(dǎo)航技術(shù),高速無線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的迅速發(fā)展,推動了現(xiàn)代集成電路設(shè)計追求更高的工藝水平。片上系統(tǒng)中嵌入式的Memory等存儲器已成為芯片設(shè)計的重要組成部分,預(yù)計到2017年片上Memory面積的百分比將達(dá)到90%以上。片上存儲器面積的增加、工藝偏差的增加以及電源電壓降低都使得片上存儲器的設(shè)計面臨巨大的挑戰(zhàn)。
靜態(tài)隨機存儲器(簡稱:SRAM)因其高速、低功耗的特性被廣泛應(yīng)用于手機,個人電腦等電子產(chǎn)品,因
2、此,SRAM的性能將直接影響到SOC芯片的性能。晶體管閾值電壓(Vth)的工藝偏差將對SRAM的穩(wěn)定性和訪問時間造成很大的影響。針對這一問題,本文深入研究了工藝、電壓、溫度(簡稱:PVT)對于SRAM穩(wěn)定性的影響并提出了兩種更加有效的改進(jìn)技術(shù),主要內(nèi)容如下:
首先介紹了SRAM主要的幾大結(jié)構(gòu),包括存儲陣列、靈敏放大器、譯碼器、讀寫控制電路等結(jié)構(gòu),并重點介紹了存儲陣列結(jié)構(gòu)以及靈敏放大器的工作原理,然后分析了SRAM讀操作的原理。
3、接著介紹了兩種時序控制技術(shù)(反相器鏈延時技術(shù)和傳統(tǒng)復(fù)制位線技術(shù)),并對這兩種技術(shù)進(jìn)行了對比,得出了復(fù)制位線技術(shù)更有優(yōu)勢的結(jié)論。
接著介紹了近年來國內(nèi)外的研究人員對SRAM時序控制電路進(jìn)行的一些改進(jìn)設(shè)計,重點介紹分析了其中的3種設(shè)計方案,分別是:數(shù)字復(fù)制位線技術(shù)、多級雙復(fù)制位線技術(shù)以及雙列交錯復(fù)制位線技術(shù),對它們的結(jié)構(gòu)和原理進(jìn)行了深入分析,并做了一定的理論推導(dǎo),并通過蒙特卡羅仿真與傳統(tǒng)復(fù)制位線技術(shù)進(jìn)行了對比。
最后,本
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