ITO靶材制備及燒結(jié)機理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、氧化銦錫(ITO)薄膜被廣泛應(yīng)用在平板顯示器及其他的元器件上。ITO薄膜主要是通過使用ITO靶材利用磁控濺射法制備得到?；诖?，具備優(yōu)異性能ITO靶材的制備是具有重要意義的。本文對ITO的結(jié)構(gòu)，ITO薄膜、ITO靶材及ITO粉體的制備方法進行了綜述;研究了溶劑熱法制備ITO粉體及其電性能;研究了ITO粉體對ITO靶材燒結(jié)的影響;對ITO靶材燒結(jié)制備工藝進行了優(yōu)化;研究了燒結(jié)助劑Sb2O3對ITO靶材的影響;研究了二元燒結(jié)助劑Bi2O3和

2、Sb2O3對ITO靶材的影響。
　　得到結(jié)論:使用乙二醇與乙醇作溶劑，且其比例為4∶1時制備出粒徑為10.7nm、分散性良好的立方狀I(lǐng)TO納米粉體，且其I(400)/I(222)最高值為0.380;溶劑熱法制備的ITO粉體燒結(jié)的ITO靶材相對密度隨ITO納米粉體粒徑增加而下降，當ITO納米粉體平均粒徑為10.7nm時，燒結(jié)后制備得到的ITO靶材相對密度最高為99.25％，微觀結(jié)構(gòu)致密，氣孔較少;ITO靶材最佳制備工藝為添加1.5％

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