DKDP晶體生長條件優(yōu)化及退火研究.pdf

1、DKDP晶體具有優(yōu)良的電光和非線性光學(xué)性能，廣泛地應(yīng)用于激光變頻、電光調(diào)制、聲光調(diào)制、電光調(diào)Q激光器、參量振蕩器、壓電換能器和光快速開關(guān)等高技術(shù)領(lǐng)域。晶體的生長速度和質(zhì)量是目前的研究熱點(diǎn)。 本文從晶體生長動(dòng)力學(xué)和生長速度的影響因素出發(fā)，采用常溫溶液降溫法生長晶體。測定了生長溶液中部分雜質(zhì)金屬離子的含量，討論了雜質(zhì)金屬離子濃度和晶體質(zhì)量的關(guān)系。分析影響晶體生長速度的因素，研究過熱溫度和過熱時(shí)間對溶液穩(wěn)定性的影響。在此基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了

2、DKDP晶體在高的生長起始溫度、大過飽和度下的快速生長。生長條件為：pD為3.8-4.3的2000ml生長溶液在80℃下過熱24小時(shí)，降溫最高起始溫度為53.7℃，降溫速度為0.2-1.0℃/day，平均生長速度約為3mm/day。由此得到的晶體動(dòng)態(tài)消光比為3177：1-6555：1，半波電壓為4800-5700V，激光損傷閾值為3.4-3.9GW/cm2。對生長中出現(xiàn)的問題如：單斜相的干擾、原料純度和晶變、貼晶等進(jìn)行了具體的討論。

3、 初步探索了DKDP晶體的退火工藝過程。在溫度變化速率為3℃/h，退火溫度為80℃、100℃和110℃，恒溫24h和48h條件下對DKDP晶體進(jìn)行退火處理。比較了不同溫度退火前后和不同時(shí)間的退火處理所造成的對晶體激光損傷閾值，消光比，透過率的差別。退火后，晶體的透過性尤其是短波區(qū)域的透過率提高，而消光比也得到了改善，激光損傷閾值和半波電壓在退火的過程中沒有變化。對退火可以改善晶體光學(xué)均勻性的機(jī)理作了初步的探討。用熱分解法測量了退火前