室溫下銅表面上單個(gè)二氯酞菁錫分子的可控操縱研究.pdf

1、基于室溫下單個(gè)二氯酞菁錫分子在銅（100）表面上具有兩種等價(jià)的吸附取向，本文利用超高真空掃描隧道顯微鏡(STM)針尖，通過Z(V)縱向操縱模式可對單個(gè)二氯酞菁錫分子的吸附取向進(jìn)行原位切換，從而實(shí)現(xiàn)了對該分子吸附取向的調(diào)控；而且通過對單個(gè)二氯酞菁錫分子不同的部位進(jìn)行縱向操縱，還能夠驅(qū)使單個(gè)二氯酞菁錫分子在銅（100）表面做定向運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)距離為表面的銅原子晶格的倍數(shù)。基于縱向操縱時(shí)掃描隧道顯微鏡針尖與標(biāo)記分子之間的距離的分析，本文認(rèn)為針尖

2、與分子間的排斥力是實(shí)現(xiàn)該操縱作用力的主要來源。本文利用該操作方式不僅構(gòu)建了納米尺度的分子存儲(chǔ)原型器件，而且組裝了最小尺寸的南昌大學(xué)英文校名縮寫。
　　通過該可控操縱技術(shù)，本文研究了分子排列形式對單個(gè)二氯酞菁錫分子的分子取向的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果揭示出位于三分子體系中間的分子的吸附取向可藉由其他兩個(gè)分子的吸附取向進(jìn)行調(diào)控。理論計(jì)算進(jìn)一步證實(shí)了該非接觸式調(diào)控來源于其最近鄰距離分子吸附狀態(tài)對單個(gè)分子的吸附能量的影響?；谠摪l(fā)現(xiàn)，本文通過不同分