修飾電極和納米金陣列電極的制備和其在生物電化學中的應(yīng)用.pdf

1、本文概述了修飾電極、納米陣列電極和其在免疫檢測中的應(yīng)用研究現(xiàn)狀。制作1,6-已二硫醇修飾電極(HDT/Au)、多壁碳納米管修飾玻碳電極(MWNTs/GC)和金二維納米圓盤電極(2DNEEs)電極，并對其性能進行表征。對辣根過氧化物酶催化(HRP)體系的各個影響因素進行優(yōu)化，采用四種電極檢測HRP的濃度，對幾種電極的檢測效果進行對比，得到適合該體系檢測的工作電極。采用酶聯(lián)免疫伏安法檢測兔IgG抗原和黃曲霉毒素B1，達到了良好的檢測效果。<

2、br>　　采用0.1 M的1,6-已二硫醇作為修飾液，分別對直徑為0.5 mm的金絲電極和3mm的金圓盤電極上進行化學自組裝修飾。硫醇和金單質(zhì)產(chǎn)生共價鍵和，依靠共價鍵和力化學吸附于金電極表面形成自組裝膜。采用阻抗譜法和循環(huán)伏安法對修飾電極進行表征。研究結(jié)果表明，1,6-已二硫醇修飾層對鐵氰化鉀/亞鐵氰化鉀電子傳遞具有明顯的阻礙作用，且隨著修飾時間的增長而增加。采用0.1％Nafion-1 mg/mLMWNTs修飾液對玻碳電極進行修飾，阻

3、抗譜和循環(huán)伏安法研究表征結(jié)果表明，碳納米管修飾層對鐵氰化鉀/亞鐵氰化鉀電子傳遞具有促進作用。以徑跡刻蝕聚碳酸酯濾膜為模板，化學沉積法制備金納米線陣列，制備出長度為6μm、密度為(1~5)×108個/cm2、直徑為100 nm、具有一定強度的連續(xù)的金納米線陣列。采用循環(huán)伏安法和SEM對金納米陣列電極進行了表征，研究結(jié)果顯示，K3Fe(CN)6/K4Fe(CN)6在電極表面的氧化還原反應(yīng)受線性擴散控制。
　　對辣根過氧化物酶催化 H2

4、O2氧化鄰苯二胺酶催化體系進行了研究。確定了OPD-H2O2-HRP酶催化體系的最佳反應(yīng)條件和參數(shù)。最終確定在溫度為30℃，pH為5.0，OPD:H2O2為2.8，反應(yīng)時間為1 h時。研究了OPD-H2O2-HRP酶催化體系的電化學反應(yīng)特征。分別采用Au、HDT/Au、MWNTs/GC、2DNEEs為工作電極定量檢測HRP。Au電極檢測HRP的線性范圍在6×10-11-2×10-9 g/mL，檢測下限偏高。HDT/Au檢測 HRP的線性

5、關(guān)系2×10-11-2×10-9 g/mL，檢測下限可達1×10-11 g/mL。2DNEEs檢測HRP的線性關(guān)系范圍在2×10-11-5×10-10 g/mL，檢測下限亦可達到1×10-11 g/mL。MWNTs/GC檢測 HRP的線性關(guān)系范圍為1×10-12~5×10-10 g/mL。其中HDT/Au具有較好的結(jié)果。
　　以O(shè)PD-H2O2-HRP酶催化體系為基礎(chǔ)，采用酶聯(lián)免疫伏安法對兔IgG和黃曲霉毒素 B1進行定量檢測。電