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1、聚硅烷是一類鏈骨架中僅含硅原子的高聚物,具有獨(dú)特的性質(zhì)和用途。作為陶瓷前驅(qū)體,經(jīng)高溫裂解制備碳化硅陶瓷材料是其用途之一。本論文采用電化學(xué)法合成陶瓷前驅(qū)體聚硅烷,利用前驅(qū)體轉(zhuǎn)化法制備碳化硅,來(lái)改進(jìn)C/C復(fù)合材料的抗氧化性能。論文主要工作為聚硅烷的電化學(xué)合成研究以及聚硅烷的陶瓷化研究。 在電化學(xué)合成部分較系統(tǒng)地研究了電化學(xué)合成聚硅烷的影響因素(單體,支撐電解質(zhì),助劑和電量),并對(duì)其反應(yīng)動(dòng)力學(xué)進(jìn)行了研究,初步探索了其反應(yīng)機(jī)理。用IR、
2、UV、GPC等表征分析了產(chǎn)物性能。結(jié)果表明:AlCl3或溴化蒽三氯化鋁離子液體作為支撐電解質(zhì),在溶劑中有更高的導(dǎo)電率,能取代傳統(tǒng)的LiClO4。采用單體CH3HSiCl2,CH3SiCl3,PhSiCl3和(CH3)2SiC]2,均能合成出液態(tài)聚硅烷,在四種單體中PhSiCl3的反應(yīng)最快。在CH3HSiCl2和CH3SiCl3的共聚反應(yīng)中,預(yù)聚方式比混聚方式合成的聚硅烷更符合浸漬要求。當(dāng)電量達(dá)到理論電量的15%后,所有單體的反應(yīng)速率已經(jīng)
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