配位均勻共沉淀法制備Ag-ZnO納米復合材料及其應用研究.pdf

1、環(huán)境污染的控制和治理是人類21世紀面臨的重大課題之一。在眾多的污染治理技術中，半導體多相光催化技術由于能在常溫常壓下使多種類型的難降解有機物經光催化分解為二氧化碳和水，不會造成二次污染而引起國內外科研人員的重視。納米ZnO因具有光催化活性高，穩(wěn)定性能好，價格低廉，且無二次污染等優(yōu)點，近年來，一直是半導體光電化學和光催化研究領域的重點。而在納米ZnO上負載貴金屬以提高光催化活性成為當前十分活躍的課題。
　　 本文研究了一種制備Ag

2、/ZnO納米復合材料的新方法——“配位均勻共沉淀法”，并對用該法制得的產品的結構、晶粒生長動力學及其光催化性能進行了研究，主要工作及其結果如下：
　　 (1)從理論上探討了“配位均勻共沉淀淀”新方法制備Ag/ZnO納米復合材料的機理和可行性。該法具有產品粒徑易控、工藝簡單、反應條件溫和、制備成本低廉、易于實現(xiàn)規(guī)?；a等優(yōu)點。
　　 (2)以ZnO、AgNO3為原料，廉價的氨水為配位劑，碳酸氫銨為沉淀劑，采用配位均勻共沉

3、淀這一新方法制備出了直徑10-30nm、長度100-200nm的納米纖維狀堿式碳酸鋅和碳酸銀混合前驅物；用透射電鏡、X射線衍射儀、傅立葉變換紅外光譜儀、熱重-差熱分析儀、差示掃描量熱分析儀等對前驅物進行了表征；研究了影響前驅物生成的水釋量、反應溫度、反應時間等因素，確定了最佳反應條件。
　　 (3)研究了熱分解溫度對煅燒混合前驅物制備Ag/ZnO納米復合材料的影響；研究了產品的晶粒生長動力學，發(fā)現(xiàn)在300-600℃范圍內晶粒生長