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文檔簡介
1、本研究包括四部分內(nèi)容：首先介紹了快電子能量損失譜的基本物理概念；隨后測量了N2O分子價殼層激發(fā)態(tài)的截面；接著系統(tǒng)性地分析與評估了He原子的n1S和n1P激發(fā)態(tài)非彈性散射的積分截面；最后介紹了金屬原子束流源的改進。在第一章中，首先介紹了快電子能量損失譜方法，重點介紹了廣義振子強度(GOS)、微分散射截面(DCS)、積分截面(ICS)的物理概念以及測量它們的實驗方法。另外，還介紹了廣義振子強度、積分截面的實驗數(shù)據(jù)處理及Bef-scaling
2、 方法。在第二章中，利用快電子能量損失譜儀，在入射電子能量2500eV和能量分辨100meV的條件下，測量了N2O分子價殼層激發(fā)態(tài)的微分散射截面、廣義振子強度和積分截面。通過對比實驗和理論的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)在200eV的入射電子能量下，D1Σ+態(tài)已經(jīng)達到了一階Born近似，而C1Π 態(tài)卻沒有滿足一階Born近似。除此之外，基于分子點群知識，對B1Δ態(tài)做的廣義振子強度做了詳細分析和討論，發(fā)現(xiàn)在B1Δ ←X1Σ+躍遷中既存在電四極躍遷又存在電偶極
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