基于SU-8負光膠的微流控芯片加工技術(shù)的研究.pdf

1、浙江大學理學院博士學位論文基于SU8負光膠的微流控芯片加工技術(shù)的研究姓名：呂春華申請學位級別：博士專業(yè)：分析化學指導教師：殷學鋒20070501浙江大學博士論文摘要第四章提出了利用ITO玻璃的導電性和透光性，在ITO導電層上電沉積鎳金屬薄膜制作光刻掩模和電鑄金屬的種子層，加工高深寬比金屬微結(jié)構(gòu)的簡易方法。在導電玻璃的ITO層上涂覆薄層AZ4620正光膠，用常規(guī)的接觸式曝光法UV光刻顯影后，將光刻掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到AZ4620光膠層上。利

2、用ITO玻璃的導電性，在光刻膠曝光處電沉積鎳，使掩模圖形轉(zhuǎn)移到ITO玻璃表面的鎳薄膜上。在鎳掩模上涂覆SU一8厚膠層，使UV光透過ITO玻璃基底對SU8光膠層進行背面曝光，制得高深寬比SU8微結(jié)構(gòu)。最后以SU8微結(jié)構(gòu)作為模板，以ITO表面的鎳掩模作為種子層，通過電鑄得到深寬比高達15、側(cè)壁垂直度為89。的金屬微結(jié)構(gòu)。此方法使用設(shè)備簡單，加工成本低，在普通實驗室實現(xiàn)了高深寬比的金屬微結(jié)構(gòu)的簡易加工。第五章提出了將相變化犧牲層材料硫，用于封

3、接SU8敞開通道，制作SU8的微流控芯片；而且在封接的SU8層上通過光刻制作微結(jié)構(gòu)，用疊層法制備了多層三維SU8微流控芯片。SU8光刻膠中的有機溶劑與硫之間不存在相互反應(yīng)及溶解問題，加熱后只要在微通道末端施加負壓就可以將通道內(nèi)的液體硫抽出，與現(xiàn)有的犧牲層的方法相比較，大大縮短了犧牲層的去除時間。實驗成功制得了各種形狀和尺寸的SU8微通道和疊層三維結(jié)構(gòu)。制得的三維SU8微流控芯片在芯片毛細管電泳分離、有機合成微反應(yīng)以及實現(xiàn)芯片的多功能集成