簡介：學校代號10731學號133085201174分類號TH16密級公開工程碩士學位論文基于3D打印技術制作鑄型中模樣的工藝研究學位申請人姓名曹雅莉培養(yǎng)單位機電工程學院導師姓名及職稱李宗義教授白天萍高級工程師學科專業(yè)機械工程研究方向先進制造技術論文提交日期2017年4月20日RESEARCHONTHETECHNOLOGYOFMAKINGTHESHAPEOFTHEMOULDBASEDON3DPRINTINGTECHNOLOGYBYCAOYALIBELANZHOUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY2001ATHESISSUBMITTEDINPARTIALSATISFACTIONOFTHEREQUIREMENTSFORTHEDEGREEOFMASTEROFENGINEERINGINMECHANICALENGINEERINGINTHESCHOOLOFMECHANICALSCIENCEANDENGINEERINGLANZHOUUNIVERSITYOFTECHNOLOGYSUPERVISORPROFESSOR,LIZONGYIAPRIL,2017

簡介：蘇州大學學位論文獨創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明所提交的學位論文是本人在導師的指導下，獨立進行研究工作所取得的成果。除文中已經注明引用的內容外，本論文不含其他個人或集體已經發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不含為獲得蘇州大學或其它教育機構的學位證書而使用過的材料。對本文的研究作出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式標明。本人承擔本聲明的法律責任。論文作者簽名盔進這日期一蘭’二2蘇州大學學位論文使用授權聲明本人完全了解蘇州大學關于收集、保存和使用學位論文的規(guī)定，即學位論文著作權歸屬蘇州大學。本學位論文電子文檔的內容和紙質論文的內容相一致。蘇州大學有權向國家圖書館、中國社科院文獻信息情報中心、中國科學技術信息研究所含萬方數據電子出版社、中國學術期刊光盤版電子雜志社送交本學位論文的復印件和電子文檔，允許論文被查閱和借閱，可以采用影印、縮印或其他復制手段保存和匯編學位論文，可以將學位論文的全部或部分內容編入有關數據庫進行檢索。涉密論文口本學位論文屬在年一月解密后適用本規(guī)定。非涉密論文口論文作者簽名查進亟EL導師簽名紐日＼

簡介：學校代碼10285學號20124306071碩士學位論文（專業(yè)學位）不同體育選項課對學生體質健康影響及對策研究以無錫工藝職業(yè)技術學院為例DIFFERENTOPTIONSCOURSESFORSTUDENTSPHYSICALHEALTHFACTORSANDCOUNTERMEASURESRESEARCHASEXAMPLEOFWUXIINSTITUTEOFARTSANDTECHNOLOGY研究生姓名繆嵩指導教師姓名王崗專業(yè)名稱體育教育研究方向學校體育所在院部蘇州大學體育學院論文提交日期2016年3月

簡介：東南大學碩士學位論文102工藝線10UM工藝技術ESD能力評估研究姓名鄭若成申請學位級別碩士專業(yè)軟件工程指導教師吳金孫鋒20081230東南大學碩士學位論文ABSTRACTTHEDESIGNOFTHEPADESDPROTECTIONSTMCTURESISAVERYIMPORTANTPARTOFTHEWHOLELCDESIGNS．FORWELLESTABLISHED0．8TO1．5MICRONPROCESSES，THEDESIGNOFTHEPADESDPROTECTIONS伽LCTLIRESISQUITEMATURE．CONVENTIONALPROTECTIONS仃UCMRESINCLUDEPNJUNCTIONS，FINGERTYPEGGGATEGROUNDEDNMOSTRANSISTORANDFIGNERTYPEGGPMOSTRANSISTORCOMBINEDSTRUCTURES，ANDGGNMOSTRANSISTOR,RESISTORANDMETALFIELDTRANSISTORCOMBINEDSTRUCTURESREFERREDTOASAFSTRUCTURES．HOWEVER,CUSTOMERCOMPLAINTSABOUTLOWESDROBUSTNESSHAVEBEENRECEIVEDFORSOMEOFTHE1．OMICRONPRODUCTSEMPLOYINGTHEABOVEPROTECTIONSTRUCTURES．THROUGHANALYSESITISFOUNDTHATTHEFAILURESAREMAINLYINCONNECTIONWITHTHEPROTECTIONCAPABILITYOFTHEPULLDOWNGGNMOSTRANSISTORS，WHICHINTURNISINCONNECTIONWITHTHEBURNOUTOFTHEDRAINSUBSTRATEPNJUNCTIONS．THEGATEOXIDEFAILUREOFTHEGGNMOSTRANSISTORSISLESSIMPORTANT．TOINVESTIGATETHEEFFECTOFLAYOUTSANDPROCESSCONDITIONSONESDROBUSTNESS，THEMOSTCOMMONLYUSDESDPROTECTIONSTRUCTURESHAVEBEENEMPLOYEDONAPADTESTCHIPANDSOMEPRACTICALPRODUCTCHIPS，ANDDIFFERENTLAYOUTDESIGNSANDPROCESSCONDITIONSHAVEBEENUSED．THEESDSTESTRESULTSOFTHEPADTESTCHIPSHOWTHATTHEESDROBUSTNESSOFTHECHIPSONTHEWAFERCENTERISHIGHERTHANTHATNEARTHEEDGE．INTHEFORWARDTURNONCURRENTRELEASINGMODE，THEESDROBUSTNESSOFTHETESTSTRUCTURESAREHIGHERTHAN5000VINTHEHUMANBEDYMODE，EXCEPTFORTHEPNJUNCTIONSTRUCTURESWHOSEESDROBUSTNESSISOVER3000VHOWEVER,INTHEREVERSEBREAKDOWNCLL仃ENTRELEASINGMODE．THEESDROBUSTNESSISONLY2000VFORFOURFINGER,TWOFINGERANDSINGLEFINGERGGNMOSTRANSISTORSTRUCTURESANDAFSTRUCTURES．SOTHEPROTECTIONSTRUCTUREFAILURESOCCURINTHEREVERSEBREAKDOWNMODE．THEESDROBUSTNESSOFTHEPRACTICALPRODUCTCHIPSEMPLOYINGTHEFOURFINGERGGNMOSTRANSISTORSTRUCTURESORAFSTRUCTURESISOVER4000VTHEABOVETESTRESULTSSHOWTHATRELATIVELYHIGHESDROBUSTNESSCANBEACHIEVEDUSINGTHESTANDARD1．0MICRONPROCESS，BUTESDROBUSTNESSISINCONNECTIONWITHTHELAYOUTDESIGNS．SOTHEDISIGNRULESOFTHEESDPROTECTIONSTRUCTURESSHOULDBEOPTIMIZEDTODEALWITHTHECUSTOMERCOMPLAINTS．BASEDONTHETESTRUSULTS，THEREASONSTHATTHEGGNMOSSTRUCTURESEXHIBITHIGHERESDROBUSTNESSTHANTHEPNJUNCTIONSTRUCTURESAREDISCUSSED，THERELATIONSHIPBETWEENTHEGATELENGTHOFTHEGGNMOSTRANSISTORSANDESDROBUSTNESSISINVESTIGATED，THEEFFECTOFTHECRITICALDIMENSIONSINTHEPROTECTIONSTNICTURESONESDROBUSTNESSISANALYZED，THEMECHANISMSFORESDPROTECTIONCAPABILITYIMPROVEMENTSBYINCORPORATINGESDIMPLANTATIONSARESTUDIED．，ANDANANALYSISMEANSISGIVEDTODETECTTHEFAILURESPOTBYTHEIVCURVEOFTHEPROTECTCIUIRUT．ANDFINALLY,OPTIMIZEDDESIGNRULESFORTHEESDPROTECTIONSTRUCTLIRESAGEPRESENTED．ANEWGGNMOSPROTECTIONSTRUCTUREISDESCRIBED，WHICHISREALIZEDBYEXTENDINGTHEDRAINCONTACTMETALTOCOVERTHEGATETOIMPROVETHEESDROBUSTNESS．NOSIGNIFICANTIMPROVEMENTSHAVEBEENOBTAINEDBYVARYINGTHEPROCESSCONDITIONS．MOREWORKISONSCHEDULETOINVESTIGATETHEEFFECTOFTHEPROCESSCONDITIONSONESDROBUSTNESS．KEYWORDSESDPROTECTIONSTRUCTURES，MECHANISM，ESDTEST，DESIGNRULE，LAYOUT，PROCESSII

簡介：O．8UMMGLVKEYPROCESSDEVELOPMENTANDDESIGNRULEOPTIMIZEATHESISSUBMITTEDTOSOUTHEASTUNIVERSITYFORTHEACADEMICDEGREEOFMASTEROFENGINEERINGBYXIEYANGSUPERVISEDBYPROFESSORWUJINANDSENIORENGINEERFANGSHILINSCHOOLOFSOFTWARESOUTHEASTUNIVERSITY摘要集成電路高速發(fā)展的今天，鋁柵工藝作為一種成本低、工藝簡潔、流通速度快的工藝仍然在中低端消費電子市場中占有一席之地。但是隨著成本增加，需要有更小線寬的工藝來提升工藝競爭力。在不改變現有工藝架構并且不增加成本的情況下如何有效降低管芯尺寸仍然是未來工藝的發(fā)展方向。本文主要內容就是通過半導體關鍵工藝步驟研究及設計規(guī)則優(yōu)化，降低管芯尺寸，提升工藝競爭能力。本文首先介紹了鋁柵工藝的發(fā)展，對于現有1．0微米低壓鋁柵工藝進行了分析，確定了工藝優(yōu)化方向。其次．在已有的1．0微米工藝基礎上運用了仿真工具SCNTAURUSTCADTECHNOLOGYCOMPUTERAIDEDDESIGN計算機輔助設計進行模擬，采用了工藝模擬與實際流片結合的方式，對溝道尺寸在O．7微米的器件進行器件模擬、實驗及仿真，通過調整阱濃度實現了節(jié)省一層光刻的目的。再次，對低壓鋁柵生產工藝流程中的關鍵工藝步驟濕法孔腐蝕和鋁腐蝕進行了研究，通過對于這兩個工藝步驟的研究改善，使其滿足0．8微米后段工藝大規(guī)模生產的要求。最后，通過對比業(yè)內其他工廠設計規(guī)則，在華潤上華1．0微米低壓鋁柵基礎上對設計規(guī)則重新進行制定，通過在線流片使得部分設計規(guī)則得到了優(yōu)化，在I．0微米低壓鋁柵工藝基礎上壓縮設計規(guī)則尺寸重新制定了0．8微米低壓鋁柵工藝設計規(guī)則，同時在產品上通過了窗口驗證確認了工藝的穩(wěn)定性。華潤上華原1．0微米低壓鋁柵工藝共有8層光刻，本文通過TACD仿真工具的應用結合產品片流片驗證，完成了節(jié)省一層V_P光刻的目標；通過對于低壓鋁柵工藝流程中關鍵工藝步驟濕法孔腐蝕、鋁腐蝕進行研究，成功開發(fā)出了O．5微米濕法孔腐蝕菜單及11K厚度鋁腐蝕菜單，解決了工藝開發(fā)中的難題；對1．0微米工藝設計規(guī)則重新進行驗證，最終制定了0．8微米低壓鋁柵設計規(guī)則，達到了降低管芯尺寸的目的。關鍵詞TACD、低壓鋁柵、鋁腐蝕、濕法腐蝕、BOE、設計規(guī)則檢查

簡介：天津大學碩士學位論文015UM工藝光刻制程中的關鍵技術姓名劉偉申請學位級別碩士專業(yè)集成電路制造指導教師趙毅強；張書慶201112ABSTI淑TINTHERECENTTWENTYYEARS，ICTECHNOLOGYMADEAHUGEPROGRESS．THEINTEGRATIONKEEPONINCREASINGFOLLOWINGMOORE’S1AWTHENUMBEROFTRANSISTORSTHATCANBEPLACEDINEXPENSIVELYONANINTEGRATEDCIRCUITDOUBLESAPPROXIMATELYEVERYTWOYEARSOR18MONTHS．WITHTHEINTEGRATIONTURNSHIGHERANDHIGHER,LITHOGRAPHYMEETSMOREANDMORETROUBLE．SUCHASTHEOPTICALPARAMETERSERING，THEFILMFLATNESS，THEREFLECTED1IGHTANDRESISTTHICKNESSUNIFORMITY,WHICHHAVEDIRECTRELATIONSHIPWITHTHESUCCESSFULIMAGETRANSFER．THISPAPERINTRADUCESTHEBASICLITHOGRAPHYPROCESS，INCLUDINGRESISTCOATING，EXPOSURE．DEVELOPER,OVERLAYANDCRITICALDEMETIONINLINECHECK．、黼HTHETRADITIONALOPTICAL．248NMKRFSCANNERCANGETTHEBESTCDWHICHIS0．18URNONLY．SOIFWANTTOMAKEAO．15UNCDPOSSIBLE，MOREAUXILIARYTECHNOLOGYISREQUIRED．THISPAPERALSOINTRODUCESTHETECHNOLOGYSUCHASTHEOALWHICHCANIMPROVERESOLUTION．PSMWHICHCANIMPROVETHECONTRAST．OPCTHATCANIMPROVEICRELIABILITY,BARCRESISTWHICHISUSEDTOREDUCETHEREFLECTION．BECAUSEOFTHEIMPACTOFWAFERSURFACEEMISSIVITYANDFLATNESSBYEACHPROCESSOFTHEWHOLEFLOW,THELITHOGRAPHYPROCESSWINDOWISNARROW．THEWAFERALWAYERSU髓RLOWYIELDISSUE，ESPECIALLYATWAFEREDGEWHICHCAUSEDBYTHEFILMFLATNESSGAP．ITISTHEFIRSTKILLEROFYIELDANDHARDTOBESOLVED．THISPAPERTAKESAPRODUCTIONWHICHSUFFERWAFEREDGELOWYIELDASEXAMPLE，AFTERDOINGFAILUREANALYSISINDETAILUSINGIVCUREANDOBIRCH，STUDYINGTHEMETHODOFDETECTINGSURFACEFLATNESSANDTHESMSCOMPENSATIONARITHMETICDEEPLY,GETAEFFICIENTWAFEREDGEDEFOCUSSOLUTIONWHICHIMPROVEYIELDMUCH．KEYWORDSDEFOCUS，OAI，PSM，OPC，FOCUS

簡介：目錄摘要ABSTRACT。。，2第一章引言3第一節(jié)集成電路光刻技術概述第二節(jié)光刻技術在集成電路中的作用第三節(jié)光刻工藝的重要參數9第四節(jié)本文研究的主要內容和方向10第二章013林M工藝平臺黃光工藝介紹12第一節(jié)光刻設備介紹12第二節(jié)光刻工藝流程介紹19第三節(jié)光刻工藝的評價標準30第四節(jié)小結33第三章013協(xié)M顯影工藝的優(yōu)化4第一節(jié)顯影的化學組分和顯影的微觀過程4第二節(jié)顯影工藝的顯影噴嘴DEVNOZZLE的改善36第三節(jié)工藝條件相關參數方面優(yōu)化6第四節(jié)小結O第四章分辨率增強技術1第一節(jié)PSM印HASESHIFTMASK的應用51第二節(jié)光學鄰近修正53第三節(jié)偏軸光源光刻5第四節(jié)抗反射涂布6第五節(jié)小結8第五章結論，9參考文獻60致謝61ABSTRAETWITHTHEINEREASINGLYDEVELOPFNENTOFTHEICPROEESS，THEKEYSTRUETUREOFIC15BEEOMINGSMALLERANDSMALLERTHESEMIEONDUETORICSFOLLOWTHEROADMAPTHATREQUIRESSMALLVOLUMEHIGHIN七ENSITYHIGHSPEEDANDLOWPOWERDISSIPATIONNOWADAYSICHASENTEREDTHEULTRALARGESEMIEONDUETORINTEGRATEDEIREUITSWHIEHBRINGSTEEHNIQUEPHASEFROMSUB一MIEROFNETERTODEEPSUB一MIEROMETERFORTHEPERFORMANEEANDRELIABILITYOFTHEICIMPROVEMENT，THEPROEESSOFTHE工CSHOULDBEHIGHLYREQUESTEDSURELY，ASTHEKEYSTEPOFTHEICMANUFAETUREPROEESSTHELITHOGRAPH15FAEINGTHEGIANTEHALLENGEWHIEH15NOTO門LYTHESOLUTIONTOOVEREOMETHETEEHNIQUEISSUEBUTALSOTHEAMOUN七5OFMONEYFOREQUIPMENTUPDATE50THERE15ANEWSUBJEETTHATHOWTOREAEHTHEPROEESS七ARGETWITHOUTTHEPROEESSEQUIPMENTUPDATETHEMAINSOLUTION15THATMODIFIEATIONOFTHEHARDWAREANDOPTIMIZATIONOFTHEPROEESSEONDITIONESPEEIALLY七HEMAINSTREAMMANUFAETORYLINEINLANDARE8INEHTEEHNIQUESTHATAREFAEINGTHETEEHNIQUELEVELFROM035協(xié)MTO011PM，THEISSUEHASMOREREALISTIEMEANINGTHETHESISINTRODUEETHEREGULARRETRESOLUTIONENHANEEMENTTEEHNOLOGY，THROPGHANALYSISANDEOMPARETHEM，SUEHASPSMOPCOAIANDARCMEANWHILETHETHESISTHROUGHTHESTUDYOFEXPERIMENTDATAOFTHEDEVELOP，TRYTOEOVERTHEISSUEOFTHENEWPROEESSSTAGEREQUIREMENTBYNOZZLETIPIMPROVEMENTANDREEIPEOPTIMIZEINTHEEND，WEGETTHEEONELUSIONTHATTHEEOMBINATIONOFLDNOZZLEANDDOUBLESEANREEIPE15THEBESTSOLUTIONTOOVEREOMETHEQ且ESTIONWEALSOGETMANYPROEESSFAETORSTHATEANKEEPPROEESGSTABLEANDEONTROLABLE，FO丫THENEEDOF013PMPROEESSREQUIREMENTANDPSEFORTHEPRODPE七MANUFAE七UREKE妞ORDSSEMIEONDUETPROEESSLITHOGRAPHYDEVELOP013PMCLASSIFIEATIONCODETN4

簡介：上海交通大學碩士學位論文011ΜMDRAM技術中深溝壑底部光阻殘余物去除工藝的改善研究姓名陸騫申請學位級別碩士專業(yè)軟件工程（集成電路）指導教師程秀蘭程秀蘭20081214上海交通大學碩士學位論文IIIMPROVEMENTOFPHOTORESISTREMOVEFORTHE11ΜMDRAMDEEPTRENCHCAPACITORPROCESSIMPROVEMENTOFPHOTORESISTREMOVEFORTHE11ΜMDRAMDEEPTRENCHCAPACITORPROCESSINTHESEMICONDUCTORWETCLEANING,SULFURICACIDANDHYDROGENPEROXIDEMIXEDSYSTEMREFERREDTOASSPMUSEDTORESISTTHEREMOVALANDCLEANINGPROCESS,WHICHISAMOREMATUREPROCESS。BUTTHEPRACTICEWASFOUNDONTHESPMPHOTORESISTREMOVALANDCLEANINGPROCESS,WHICHWILLCAUSEALOTOFANOMALIESESPECIALLYFORADVANCEDDRAMTECHNOLOGY,WHENUSINGSPMREMOVETHERESISTATTHEBOTTOMOFDEEPTRENCH,RESISTRESIDUEALWAYSCANBEFOUNDTHISARTICLEISBASEDONTHEPRACTICEOFPRODUCTIONDEFECTS,ANDANALYZESTHEMAINCOMPONENTSSULFURICPEROXIDEOFTHEMIXEDSYSTEMOFINFLUENCEPHOTORESISTREMOVALPROCESSTHROUGHEXPERIMENTSANDANALYSISOFVARIOUSFACTORSONTHEPEROXIDECONCENTRATIONOFSULFURICACIDACCORDINGTOTHECURRENTWIDELYUSEDINTHEPRODUCTIONOFTECHNOLOGY,INTRODUCEHOWTOCONTROLFACTORSRELATEDTOTHEREGULATION,TOBESTABLEANDSOUNDEFFECTSPHOTORESISTREMOVALTHISARTICLEFOCUSEDONONEBETTERWAYTOREMOVETHERESISTATTHEBOTTOMOFDEEPTRENCHDURING011DRAMCAPACITORMANUFACTURINGPROCESSBYTHELARGENUMBEROFCOMPARATIVEEXPERIMENTSCARRIEDOUTINVESTIGATIONANDANALYSISANDUSEOFADVANCEDEXPERIMENTALEQUIPMENTANDDEVICES,WETBENCH,HIGHDEGREEOFELECTRONICSCANNINGEQUIPMENT,OPTICALINSTRUMENTSANDADVANCEDANALYSISOFDEFECTIVEEQUIPMENT,TOFINDTHECAUSESOFDEFECTSANDDEFICIENCIESFOUNDTOAVOIDTHEPRODUCTIONAFTERTHEHARDWORK,FINALLY,THECONCENTRATIONOFSULFURICPEROXIDEHASBEENCONFIRMEDASTHEKEYFACTOROFTHEPHOTORESISTREMOVEPROCESSINTHEDEEPTRENCHANDDEFINETWOACTIONSFORTHEPROCESSOPTIMIZE,RAISINGTHETEMPERATUREOFSULFURICACIDPREEIGHTTANKANDSETONTIMEHYDROGENPEROXIDESUPPLY

簡介：北京建筑工程學院碩士學位論文燃氣調峰供熱系統(tǒng)水力及熱力工況研究姓名劉利梅申請學位級別碩士專業(yè)供熱、供燃氣、通風及空調工程指導教師李銳20081201北京建筑工程學院頎十學位論文ABSTRACTPIPENETWORKOFCENTRALIZEDHEATINGSYSTEM，WHICHISACOMPLEXFLUIDNETWORKSYSTEM，ENSUREPEOPLE’SLIFEASALLIMPORTANTPARTOFCITYINFRASTRUCTURE．HYDRAULICCONDITIONOFCENTRALIZEDHEATINGSYSTEMWITHGASPEAKSHAVINGISESPECIALLYCOMPLEX．THESTARTSTOPOFGASPEAKSHAVINGHASSOMETHINGVERYDIRECTLYTOHEATINGAFFECTANDHEATSUPPLYENERGYCONSUMPTION．ITISSIGNIFICANTTOSTUDYTHERMALANDHYDRAULICCONDITIONOFTHEHEATINGSYSTEMWITHGASPEAKSHAVING．INTHISPAPER,BYUSINGFLUIDNETWORKANALYSISMETHOD，WITHUSINGGRAPHTHEORYANDKIRCHHOFFLAW，MATHEMATICALMODELOFHYDRAULICCONDITIONCALCULATIONWASBUILT．ANDBYUSINGBASECIRCUITANALYTICMETHOD，THEMODELWASSOLVED，WHOSECOMPUTERPROGRAMWASALSOGIVEN．FURTHERMORE，ANALYSISONCONDITIONOFPEAKSHAVINGHEATSOURCEWASCARRIEDOUT,ANDSIMULATIONCALCULATIONOFCENTRALIZEDHEATINGSYSTEMOFDIFFERENTPEAKSHAVINGRATIOSWASPRESENTED．WHENPEALSHAVINGRATIOSWEREDIFFERENT，THEHYDRAULICMEETINGPOINTANDWORSTPOINTOFTHECENTRALIZEDHEATINGSYSTEMCHANGED，ANDTHECHANGEOFTHERMALCONDITIONTOOKPLACE．KEYWORDSCENTRALIZEDHEATINGSYSTEM；GASPEAKSHAVING；ANALYSISONFLUIDNETWORK；HYDRAULICCALCULATIONMODEL2

簡介：1第三部分第三部分自噴采油工采油工藝技術自噴采油是依靠底層能量（包括人工注水）來開發(fā)油田的一種常見的開采方式。這種開采方式的井下和地面設備簡單，生產成本低，管理方便。本部分簡要介紹了自噴井自噴原理、井深結構、地面設備與流程、量油側氣方式及原理、清防蠟的一般方法、陪產配注及油水井動態(tài)分析方法。通過本部分的學習，使采油工能夠對油水井及計量站地面工藝流程進行操作，了解其設備性能，并對一般事故能量提出預防及處理措施，對設備進行維修保養(yǎng)。在掌握油層、油水井基本狀況的情況下，綜合地下及地面情況對油水井進行綜合動態(tài)分析，提出油井及井組挖潛方向。目錄第三部分自噴采油工藝技術1自噴井井深結構與地面設備51什么是油水井井深結構各部的用途是什么52什么是完鉆井深53什么是固井、水泥返高54什么是人工井底什么叫水泥塞55什么叫水泥帽66什么叫沉砂口袋有什么用途67什么是補心、油補距、套補距、套管深度、油管深度68什么叫油管頭、套管頭各起什么作用69油管尾部為什么要下工作筒和喇叭口610油井自噴的基本原理是什么711油井在自噴的過程中能量是如何消耗的712自噴井井筒中流動的形態(tài)可分哪幾種各自流動的特點是什么713什么叫自噴井的井口流程714自噴井井口流程的作用是什么815自噴井的主要設備有哪些816采油樹由哪三大部分組成817采油樹的作用是什么818采油樹由哪些部件組成常用的采油樹型號有哪些819油嘴有哪幾種其作用是什么820自噴井井口流程有幾種821什么叫油氣水管網流程822什么叫雙管蒸汽伴隨保溫小站流程主要優(yōu)缺點是什么923什么叫三管熱水伴隨保溫小站流程主要優(yōu)缺點是什么924什么叫雙管摻熱油保溫小站流程主要優(yōu)缺點是什么925什么叫雙管摻熱水保溫小站流程主要優(yōu)缺點是什么926水套加熱爐的作用是什么927加熱爐分幾種各用在什么地方928水管式水套爐由幾部分組成正常工作時水和蒸汽占水套容積得多少為宜9371刮蠟片直徑為什么要上小下大1972如何衡量清蠟質量好不好1973清蠟后的油井不出油是怎么回事如何處理1974下刮蠟片時，清蠟閘門已打開，鋼絲已放松，但鉆具下不去，是什么原因1975為什么會發(fā)生井下落物1976井下落物對油井生產有哪些影響2077怎樣打撈井下落物2078打撈井下落物的常用工具有哪幾種2079打撈工具抓不住落物是什么原因2080打撈工具下不去的原因2081清蠟工具斷掉是什么愿意怎樣預防2182打撈工具抓住落物后，又連同工具一起掉落是什么原因2183軟撈刮蠟片操作要求是什么2184為什么會頂鉆頂鉆的原因是什么如何處理2185為什么會發(fā)生卡鉆事故怎樣預防及處理2286如何判斷刮蠟片是硬卡還是軟卡2287為什么鋼絲會發(fā)生跳槽如何預防及處理2288鋼絲為什么會發(fā)生打扭如何處理22分層配產2390什么叫分層配產2391為什么要對油井實行分層配產2392什么是分層配產工藝2393什么是多管分層采油2394怎樣進行雙管分層采油2395配產管柱是怎樣組成的2396封隔器的統(tǒng)一編號方法是什么2497油井實行分層配產的基本原則是什么2498劃分油井分層配產層應考慮哪些問題2499分層配產的效果分析包括哪些內容25100油井分層測試工藝包括幾方面的內容25101分層配產井驗證封隔器密封性的原理及驗證方法是什么25102分層配產井驗證封隔器密封性時如何選擇層位25104為了解分層配產井的生產狀況，必須定期錄取流壓資料。請問分層配產井錄取流壓資料應具備哪些條件應錄取哪些流壓資料26105錄取層段產量資料的測試步驟是什么26106分層測試工具包括哪幾種26108請說明偏心配產器的工作原理27109自噴井資料十全的內容是什么27油田化學27110化學防蠟有什么優(yōu)點27111為什么表面活性劑可用來作防蠟劑27112酸化時為什么要延緩酸的反應速度27113獲得延緩酸的方法有哪些27

簡介：3裝配工裝配工藝通用部分通用部分順序項目操作工藝簡述技術要求及質量標準1、皺紋紙或微皺紙可以裁成約600～800長的長條使用或利用盤料包扎。1、005皺紋紙允許兩張重疊使用。但220KV引線頭起初3MM匝絕緣厚度必須單層使用。2、微皺紙只允許單層使用。2、凡帶有皺紋的紙使用時，無論是單層或雙層，都要帶著拉力包扎，每包扎3～4層用手握住引線，按紙的纏繞方向旋轉，使皺紋基本被拉開。一般拉開后的長度是自然展開時長度的15倍，做到13～14倍即可。3、包絕緣應半疊行進，不得在一個位置上反復重疊包扎。連續(xù)重疊不得超過2次。外層與里層搭接13～23紙的寬度即可4、線圈出頭的絕緣包扎，靠根部的絕緣要形成一定的斜梢，斜梢長應是絕緣厚度的3倍左右；220KV引線，外包絕緣與相鄰線段間距應≥4MM；60KV級間距應在2MM以上間距線段引線（外包絕緣形成斜梢）絕緣不得觸及相鄰線段1絕緣包扎5、引線焊頭包絕緣時，原絕緣應削斜梢，削面應均勻、圓滑、無棱角；稍長應為原絕緣厚度的6倍，受結構限制，允許3倍，但包的應充分緊。。。。。。。。BL。。斜梢長L≥絕緣厚度B的6倍。53沖洗冷卻器或散熱器1、一般情況下，廠內試驗需裝冷卻器或散熱器時，安裝前應進行油沖洗，廠內不需安裝的，則在出廠前進行沖洗。若與冷卻器（散熱器）供應商有約，必須是沖洗合格后散熱器管口密封進廠的，至少需打開全部管口認真檢查，合格者才可以免沖洗。沖洗過程與方法（1）如果冷卻器（或散熱器）中明顯進水，應接入真空泵抽高真空（真空度殘壓可達133PA以下）2～4小時，然后油沖洗約10分鐘。油溫不低于20℃。（2）如果水份較多，沖洗時要將油加熱至70℃以上，必要時利用真空濾油機進行。（3）沖洗合格的冷卻器用密封墊、蓋板將管口封嚴。。。。。。。。。。。。（1）油需要一定的泵壓沖洗。（2）冷卻器或散熱器如圖垂直放置（長期沖洗應做一個固定放置裝置）。沖洗后下管用半圓形刮板由里向外刮，必要時用木棍綁抹布擦拭。五、五、干燥出爐或吊芯檢查器身在空氣中暴露時間的規(guī)定220KV及110KV級變壓器順序項目操作工藝簡述技術要求及質量標準1器身暴露時間規(guī)定（在干燥好的器身，在空氣中暴露的時間越短越好，所以無論是出爐產品還是吊檢產品應盡可能減少暴露時間，原則1、暴露時間計算方法（1）對于新出爐變壓器，從爐罐中解除真空開始，至產品開

簡介：““““紀念鑄造創(chuàng)刊“年收稿日期“““5“001“““，240）8A40’’“，4“B
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B“0；“0“H鑄造雜志從年“月日創(chuàng)刊到今年已經走過“個年頭，在此期間刊登了大量有關砂型鑄造工藝和造型材料方面的文章，對我國的砂型鑄造工藝和造型材料技術進步起了重要的作用?！澳旰蟮慕裉煸賮砘仡欕s志所刊登的有關主要文章，可以對我國鑄造行業(yè)中砂型鑄造工藝和造型材料技術的發(fā)展所走過的道路有一個清晰的了解，同時對于今后我國砂型鑄造工藝和造型材料技術的發(fā)展也會有一個很好的啟示。造型材料“粘土型砂粘土型砂至今一直是砂型鑄造使用的主要造型材料，據統(tǒng)計占所有鑄件產量的2“3以上，在我國建國初期這個比例還要高得多。“世紀“4’“年代，我國許多地方開展了對鑄造用原材料的資源調查，這期間鑄造雜志刊登了一些介紹粘土砂所用的原砂、粘土、煤粉的文章。例如陳宗棠的華中天然粗黃砂的使用情況〔〕，一機部東北綜合工業(yè)試驗所的我國鑄造用砂初步介紹〔〕，大連工學院的使用七棵樹砂配砂方案的研究〔5〕，丁鴻遠的我國酸性陶土在翻砂工作中的應用〔〕，中科院東北分院長春綜合研究所的東北天然硅砂與膨潤土介紹〔〕，以及袁燁的煤粉型砂的使用〔’〕。在這個時期粘土砂造型主要用的是天然粘土砂、石英砂和水洗砂，普通粘土和鈣基膨潤土。’“年代，我國一些鑄造廠開始使用活化膨潤土，’年鑄造第期上發(fā)表了沈陽拖拉機廠的活化膨潤土型砂在生產上的應用〔2〕文章；在2’年鑄造第5期上刊登了南京曙光機械廠的活化膨潤土砂造型（表干型）生產工藝〔〕的文章。我國的天然鈉基膨潤土最早在浙江省臨安縣的平山發(fā)現并開采，結束了我國無天然鈉基膨潤土的歷史。22年鑄造第期發(fā)表了臨安平山鈉質膨潤土聯合試驗小組的浙江省臨安縣平山鈉質膨潤土在高壓造型生產線上的試驗及應用〔〕的文章。在此之后，吉林省劉房子、遼寧凌源、新疆托克遜和遼寧建平也先后發(fā)現和開采了天然鈉基膨潤土。但是，由于我國天然鈉基膨潤土的礦床少，開采也比2OPQR9PQ5STTS鑄造CD79EF萬方數據型柴油機鑄鐵件上的應用〔“〕、朱焱等的關于呋喃樹脂自硬砂型工藝設計參數的確定〔〕、于樹謙的呋喃樹脂砂舊砂再生系統(tǒng)〔〕和尚淑珍的大型鑄件呋喃樹脂自硬砂用水基涂料的研究〔〕等?！兰o年代自硬樹脂砂的粘結劑種類逐漸增多，由原來的以呋喃樹脂一種發(fā)展到堿性酚醛、甲階酚醛樹脂、（酚醛脲烷樹脂）等各種樹脂粘結劑，包括用于鋁合金鑄件的易潰散性樹脂等。這方面的文章有孟爽芬的大型薄壁鋁合金鑄件用易潰散冷硬樹脂砂的研制與應用〔〕等?！靶旧啊兰o年代制芯粘結劑除了主要使用粘土、水玻璃、植物油之外，亞硫酸鹽紙漿廢液、葉巖殘油、合脂也開始在一些鑄造廠應用，以取代植物油和谷類粘結劑。熱芯盒工藝在年代中后期開始在一些汽車廠應用，年代開始大量應用。由于呋喃型樹脂的高含氮量，容易造成鑄件的氣孔缺陷，所以又出現了中氮、低氮及無氮呋喃樹脂，以及酚醛呋喃樹脂，滿足了生產薄壁鑄件的需要。年我國開始研究用酚醛樹脂覆膜砂制造殼芯和殼型的技術，’世紀年代開始用于生產，至今已有多種覆膜砂用于各種鑄件的生產。例如用于鋁合金鑄件的易潰散覆膜砂，濕態(tài)覆膜砂、離心鑄造用覆膜砂等，全國的覆膜砂廠如今有大小幾十個?！兰o“年代我國開始引進國外的冷芯盒制芯工藝，主要有三乙胺和二氧化硫吹氣硬化工藝。由于冷芯盒工藝具有砂芯強度高、反應速度快、潰散性好等優(yōu)點，在我國的汽車行業(yè)使用越來越普遍。鑄造雜志刊登了一系列有關冷芯盒工藝等應用經驗的交流文章，例如李宗猛的溫芯盒工藝的研究和應用〔’〕、劉增林的用冷芯盒樹脂砂芯生產缸體件缺陷的防止措施〔〕和劉琦的高濕環(huán)境下冷芯盒制芯工藝的優(yōu)化及其在轎車鑄件生產中的應用〔〕等?！兰o年代，制芯用粘結劑的種類越來越多，例如“0、0、12’硬化堿性酚醛樹脂、12’硬化聚丙烯酸鈉等，以適應對砂芯性能和環(huán)境保護越來越高的要求。鑄造雜志刊登邱士珍的氣硬堿性樹脂砂的研究〔〕是這方面研究的一個例子?！巴苛衔覈凇兰o年代，砂型、砂芯涂料技術還處于一個較低的水平，許多鑄造廠使用抖干石墨粉來防止?jié)裆罢惩列偷蔫T件粘砂，即使使用涂料也是工廠自己配制，很少有商品涂料供應。研究單位對鑄造涂料的人力物力投入也很少，鑄造雜志只在年刊登了一篇鋯砂涂料抗粘砂的實驗研究〔〕的文章。相隔年之后的“年鑄造第期才刊登了第二篇有關涂料的文章楊有德的鋯英粉涂料在高錳鋼（0）鑄件上的應用〔“〕。進入年代，在六五計劃期間，國家機械工業(yè)部組織清華大學、沈陽鑄造研究所、沈陽工業(yè)大學、上海交通大學、北京內燃機廠、沈陽重型機器廠、沈陽拖拉機廠等一些單位對鑄造涂料進行深入研究，開發(fā)出一批性能先進的涂料，使我國的鑄造涂料技術達到或接近國際先進水平。在這期間，鑄造雜志發(fā)表了王慕榮的砂型涂料的流變特性及觸變性的研究〔〕、程寬中的醇基涂料的研究和應用〔〕，尚淑珍的大型鑄鐵件呋喃樹脂砂用水基涂料的研究〔〕和葉孔容的高壓造型用醇基涂料的研究與應用〔〕等文章，將型砂鑄造涂料的研究和應用推向了一個空前的高水平。年代，涂料技術又有了新的發(fā)展，一些外國著名廠商進入中國市場，對我國的涂料技術起到了積極的推動作用。與此同時，一種全新概念的涂料非占位涂料的研究和應用也在我國一些研究和應用單位展開，鑄造雜志發(fā)表了袁壽民的轉移性涂料的研究〔〕和宋會宗等的非占位涂料技術的國內外發(fā)展概況〔’〕等一些文章。近年來一些鑄造工作者又開展了消失模鑄造涂料的研究和應用，發(fā)表的文章有佟天夫的氣化模鑄造涂料性能的現場檢測〔〕和石晶玉的消失模鑄造涂料性能測試方法的研究進展〔〕等。砂型鑄造工藝“砂型鑄造方法’世紀“年代，我國砂型鑄造中小件主要采用濕型粘土砂，其中大部分是手工造型，少量采用簡單的震擊、壓實機器造型，高壓、擠壓（射壓）造型只占很小的比例。大件采用干型粘土砂，鑄鋼件則以12’水玻璃砂為主。從“年代開始，特別是在年代之后，隨著對高精度薄壁鑄件（例如汽車發(fā)動機缸體、缸蓋等）質量要求的不斷提高，粘土濕型砂采用高密度造型緊實的越來越多，例如高壓造型、氣沖造型、靜壓造型、擠壓造型。大型鑄鐵件的生產則基本淘汰了粘土砂干型，代之以呋喃樹脂自硬砂，大大減少了環(huán)境污染和工人的勞動強度，也提高了鑄件質量。在鑄鋼件的生產中，不少工廠采用自硬樹脂砂工藝代替粘土砂干型或水玻璃砂型，但還有半數以上的工廠仍然采用水玻璃砂，其中主要包括12’水玻璃砂工藝和有機酯自硬水玻璃砂工藝?！皾沧⑾到y(tǒng)設計澆注系統(tǒng)的設計是鑄造工藝的重要組成部分，鑄件質量的好壞直接與澆注系統(tǒng)開設的恰當與否有關。所以鑄造雜志從創(chuàng)刊開始就重視發(fā)表與澆注系統(tǒng)設計有關的文章，例如年第期刊登楊景祥的介紹幾種灰鑄鐵鑄件澆注系統(tǒng)的計算方法〔〕的文’鑄造黃天佑我國砂型鑄造工藝與造型材料技術發(fā)展回顧萬方數據

簡介：丙烯酸甲酯工藝仿真培訓系統(tǒng)丙烯酸甲酯工藝仿真培訓系統(tǒng)操作手冊操作手冊北京東方仿真軟件技術有限公司北京東方仿真軟件技術有限公司二〇一五年三月二〇一五年三月2一工藝流程簡介一工藝流程簡介1工藝原理工藝原理在該單元中丙烯酸與甲醇反應，生成丙烯酸甲酯，磺酸型離子交換樹脂被用作催化劑。11酯化反應原理酯化反應原理丙烯酸與醇的酯化反應是一種生產有機酯的反應。其反應方程式如下CH2CHCOOHCH3OHCH2CHCOOCH3H2O這是一個平衡反應，為使反應有向有利于產品生成的方向進行，采用一些方法，一種方法是用比反應量過量的酸或醇，另一種方法是從反應系統(tǒng)中移除產物。12丙烯酸與甲醇的酯化反應丙烯酸與甲醇的酯化反應（1）酯化反應器的主反應酯化反應器的主反應的化學方程式如下HIERCH2CHCOOHCH3OHCH2CHCOOCH3H2OAAMEOHMAIER指離子交換樹脂（2）酯化反應器的副反應CH2CHCOOH十2CH3OHCH3OCH2CH2COOCH3H2OMPM3甲氧基丙酸甲酯HIER2CH2CHCOOH十CH3OHCH2CHCOOC2H4COOCH3H2ODM3丙烯酰氧基丙酸甲酯／二聚丙烯酸甲酯H1ERCH2CHCOOHCH3OHHOC2H4COOCH3HOPM3羥基丙酸甲酯H1ERCH2CHCOOHCH3OHCH3OC2H4COOHMPA3甲氧基丙酸H1ER2CH2CHCOOHCH2CHCOOC2H4COOHDAA3丙烯酰氧基丙酸／二聚丙烯酸其他副產物是由于原料中的雜質的反應而形成的。典型的丙烯酸中的雜質的反應如下CH3COOHROHCH3CO十H2O

簡介：外墻系統(tǒng)保溫及裝飾層外墻系統(tǒng)保溫及裝飾層施工工藝流程及技術要求編制編制審核審核47安裝錨固件1348抹面層抗裂保護砂漿135外墻面磚飾面1451基底清理1452預排紙皮磚、彈線1453粘貼紙皮磚1454勾縫1555墻面清洗1556質量允許偏差166外墻真石漆飾面1661基層處理1662刮涂防潮膩子兩遍1763滾涂抗堿底漆1764噴涂真石漆1865真石漆打磨1966滾涂防塵罩面漆1967質量允許偏差19

簡介：1半鋼鎂脫硫工藝技術半鋼鎂脫硫工藝技術摘要摘要本文介紹了攀鋼半鋼采用鎂復合脫硫工藝，減少了過程脫硫溫降，提高了脫硫噴槍壽命，并降低了鐵損，取得了較好的冶金效果。關鍵詞半鋼脫硫DESULPHURIZATIONDESULPHURIZATIONPROCESSPROCESSFFSEMISTEELSEMISTEELBYBYMAGNESIUMMAGNESIUMPARTICLELIMEPARTICLELIMECOINJECTIONCOINJECTIONATATPANZHIHUAPANZHIHUASTEELSTEELGEGEWENSUNWENSUN1CHENCHENXIAOPINGXIAOPING2TANGTANGCHENGYINCHENGYIN2ZHUOZHUOJUNJUN21PANZHIHUAPANZHIHUAIRONIRONSTEELSTEELRESEARCHRESEARCHINSTITUTEINSTITUTE2VANADIUMVANADIUMRECOVERYRECOVERYSTEELMAKINGSTEELMAKINGPLANTPLANTOFOFPANZHIHUAPANZHIHUANEWNEWSTEELSTEELVANADIUMVANADIUMLTDLTDCOCO0前言前言鎂脫硫是鐵水預處理工藝中綜合優(yōu)勢最明顯的鐵水脫硫法。它具有脫硫效率高、脫硫可預測性強、脫硫渣量少、鐵損和脫硫過程溫降低，以及處理時間短等特點。自1960’年代鎂脫硫工藝在前蘇聯應用以來，經40多年的發(fā)展，現已成為一項成熟的鐵水脫硫技術，特別在北美，已成為一種主要的脫硫手段。目前，德國、英國、日本等也開始應用鎂脫硫工藝1，2。我國鎂脫硫工藝的應用是最近才開始的，寶鋼34、本鋼5、武鋼6、鞍鋼7等都已成功應用。鎂脫硫后鐵水硫含量可達0005以下，最低達0001，且脫硫成本低135。為了理順攀鋼煉鋼系統(tǒng)工藝流程，使攀鋼盡快實現煉鋼生產的工藝優(yōu)化和結構優(yōu)化，降低脫硫綜合成本，2005年開展了半鋼鎂脫硫工業(yè)性試驗，取得了較好的冶金效果，脫后半鋼硫含量0007，滿足了連鑄鋼冶煉和產品開發(fā)的要求。1試驗條件及方法試驗條件及方法11工藝流程試驗采用的半鋼脫硫工藝流程見圖11。高爐鐵水組罐提釩Ⅲ部脫硫扒渣送煉鋼工序圖11試驗采用的工藝流程12鎂粒和石灰的理化性能鈍化鎂粒和鈍化石灰理化性能見表11和表12。13鐵水半鋼初始條件3平均范圍5539～72087056～137005570024～010000070001～003915778～49887260～985118022脫后硫含量分布半鋼脫后硫含量分布見圖21。由圖21可見，①脫后S≤0005的比例為639，≤020的比例918。②脫后S＞0030的比例僅為23。圖21鎂復合脫硫后半鋼硫含量分布23半鋼脫硫過程溫降脫硫過程半鋼溫降見表22。由表22可見，4月度半鋼脫硫過程溫降156℃，與3月份一致，比Ⅰ、Ⅱ部鐵水脫硫過程溫降（20℃以上）低近5℃以上。表22鎂脫硫過程半鋼溫度變化脫前溫度℃脫后溫度℃脫硫溫降℃脫硫時間MIN樣本個平均波動范圍136001214～1461134401242～14131562～3415778～49118024脫硫噴槍使用壽命影響脫硫噴槍使用壽命的主要原因是①噴槍彎曲和斷裂。通過將噴槍內部的方形管改為圓形管、噴槍中上部加筋等措施，噴槍彎曲和斷裂現象得到一定改善，但效果不太明顯。下一步計劃提高噴槍鋼管材質，用45取代現用的A3鋼，以提高噴槍槍體強度。②噴槍及管道堵塞。Ⅲ部脫硫試生產期間，噴槍及管道堵塞次數較多。通過采用手動操作模式、調整復噴脫硫工藝參數，以及在上料管道上增加篩網等技術措施，使噴槍及管道堵塞大大減少，解決了該問題。通過上述技術措施的應用，脫硫噴槍使用壽命由原8次提高到20次以上。25脫硫噴吹時間原鎂脫硫噴吹時間1933MIN，遠高于設計噴吹時間，主要原因是石灰粒度和流動性不滿足要求，大顆粒或其它異物造成噴吹過程中石灰的噴粉速度波動脫后SC91781015923010203040506070000100050006001000110020002100300030頻率平均0007，最小0001，最大0039樣本1180個