憶阻器的建模仿真與電路應(yīng)用研究.pdf

1、憶阻器是繼電阻、電感、電容以外的第四種基本元器件,憶阻器是具有記憶功能的納米級非線性兩端電路元件,憶阻器具有結(jié)構(gòu)簡單、同CMOS電路兼容性良好、可集成性高、功耗低等優(yōu)勢。在高密度非易失性存儲器、人工智能、圖像處理、邏輯運算、RFID、云計算、模擬神經(jīng)元突觸、控制系統(tǒng)、信號處理等方面有巨大的應(yīng)用潛能。然而如何構(gòu)建第四種基本元器件的電學(xué)模型,并且基于電學(xué)模型,設(shè)計基于憶阻器的應(yīng)用電路,是憶阻器改變傳統(tǒng)電路,并引發(fā)“電路革命”的重要研究內(nèi)容之

2、一。
　　研究在測試制備的憶阻器原型器件基礎(chǔ)上,分析了憶阻器的典型電學(xué)特性,建立了憶阻器的電學(xué)模型,分別采用Matlab、Simulink、Spice軟件分別對憶阻器進行建模,介紹了各種建模方法,并且在可擴展性、客觀性等方面對各種方法進行比較?；趹涀杵鞯碾妼W(xué)模型,設(shè)計了基于憶阻器的振蕩器電路和濾波器電路。分別利用了憶阻器的負阻特性和阻變特性,推導(dǎo)出振蕩器電路的動力學(xué)方程,計算出濾波器的Q值。利用FPGA對仿真電路進行了驗證,首先