ULSI中互連線延遲時(shí)間的研究.pdf

1、該文就提供了幾種互連延時(shí)模型,并對(duì)模型的結(jié)果進(jìn)行了計(jì)算,并與模擬結(jié)果進(jìn)行比較分析,得出了模型的準(zhǔn)確程度.對(duì)傳統(tǒng)的分布RC模型進(jìn)行了改善,但隨著互連向深亞微米級(jí)發(fā)展,寄生效應(yīng)的影響尤其是電感的影響,必須考慮,因此建立新的RLC傳輸模型是很必要的,該文引進(jìn)了這種新的互連模型,并對(duì)CMOS驅(qū)動(dòng)互連線和芯片之間互連兩種情況進(jìn)行了分析,得出延時(shí)模型的可靠性及實(shí)用性,以及對(duì)改善延時(shí)的指導(dǎo)作用.互連串?dāng)_及延遲引起的互連寄生效應(yīng)影響的增長(zhǎng),并從電遷徙和

2、功率損耗方面考慮,為了提高電路性能及可靠性,刺激了低電阻率銅和低介電常數(shù)介質(zhì)的引入.將這些新材料綜合運(yùn)用于集成電路的制作是一項(xiàng)非常艱難的任務(wù).而通過(guò)互連延時(shí)模型的模擬與計(jì)算,得出新材料即銅和低k介質(zhì)對(duì)延時(shí)的改善程度,及互連線的幾何參數(shù)對(duì)互連延時(shí)的影響,并根據(jù)這些確定最優(yōu)尺寸來(lái)適應(yīng)集成電路設(shè)計(jì)的需要.文中還談到了新設(shè)計(jì)方法即插入中繼緩沖和可變間隙設(shè)計(jì)對(duì)延時(shí)的影響.試驗(yàn)方面則進(jìn)行了銅互連線的TDDB試驗(yàn),來(lái)驗(yàn)證低k介質(zhì)對(duì)互連性能的改善.總之