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1、1,表面形貌襯度原理及其應(yīng)用,二次電子成像原理二次電子形貌襯度的應(yīng)用,2,二次電子成像原理,二次電子信號(hào)主要用于分析樣品的表面形貌。二次電子只能從樣品表面層5-10nm深度范圍內(nèi)被入射電子束激發(fā)出來(lái),大于10nm時(shí),將被樣品所吸收。二次電子對(duì)微區(qū)表面的幾何形狀十分敏感。下圖示意地說(shuō)明了樣品表面和電子束相對(duì)位置與二次電子產(chǎn)額之間的關(guān)系。入射束和樣品表面法線平行時(shí)(圖a),即θ=00,二次電子的產(chǎn)額最少;若樣品表面傾斜450,則電子束
2、穿入樣品激發(fā)二次電子的有效深度增加到1.414倍(圖b),入射電子使距表面5-10nm的作用體積內(nèi)逸出表面的二次電子數(shù)量增多。通常電子束相對(duì)于試樣表面的入射角選在450左右。,3,二次電子成像原理圖,,4,二次電子形貌襯度的應(yīng)用,斷口分析樣品表面形貌觀察材料變形與斷裂動(dòng)態(tài)原位觀察,5,二次電子形貌襯度示意圖,圖為根據(jù)上述原理畫出的造成二次電子形貌襯度的示意圖。 圖中樣品上B面的傾斜度最小,二次電子產(chǎn)額最少,亮度最低;反之,C
3、面的傾斜度最大,亮度也最大。,6,實(shí)際樣品中二次電子的激發(fā)過程示意圖,突出尖端 小顆粒 側(cè)面 凹槽 突出尖端、小粒子以及比較陡的斜面處二次電子產(chǎn)額較多,在熒光屏上這些部位的亮度較大;平面上二次電子產(chǎn)額較少,亮度較低;在深的凹槽底部雖然也能產(chǎn)生較多的二次電子,但這些二次電子不易被檢測(cè)器收集到,因此槽底的襯度也會(huì)較暗。,7,斷口分析,沿晶斷口韌窩斷口解理斷口
4、纖維增強(qiáng)復(fù)合材料斷口,8,沿晶斷口,這是一張普通的沿晶斷裂斷口照片。因?yàn)榭拷坞娮訖z測(cè)器的斷裂面亮度大,背面則暗,故斷口呈冰糖塊狀或石塊狀。一般認(rèn)為其原因是S、P等有害雜質(zhì)元素在晶界上偏聚使晶界強(qiáng)度降低,從而導(dǎo)致沿晶斷裂。沿晶斷裂屬于脆性斷裂,斷口上無(wú)塑性變形跡象。,9,韌窩斷口,這是一張典型的韌窩斷口照片。因?yàn)轫g窩的邊緣類似尖棱,故亮度較大,韌窩底部較為平坦,圖像亮度較低。有些韌窩的中心部位有第二相小顆粒,由于小顆粒的尺寸很小
5、,入射電子束能在其表面激發(fā)出較多的二次電子,所以這種顆粒也是比較亮的。韌窩斷口是穿晶韌性斷裂。,10,解理斷口,解理斷裂是沿某特定的晶體學(xué)晶面產(chǎn)生的穿晶斷裂。對(duì)于bcc的α-Fe來(lái)說(shuō),其解理面為(001)。從圖中可以清楚的看到,由于相鄰晶粒的位向不同(二晶粒的解理面不在同一個(gè)平面上,且不平行),因此解理裂紋從一個(gè)晶粒擴(kuò)展到相鄰晶粒內(nèi)部時(shí),在晶界處(過界時(shí))開始形成河流花樣(解理臺(tái)階)。,11,纖維增強(qiáng)復(fù)合材料斷口,圖為碳纖維增強(qiáng)陶瓷復(fù)
6、合材料的斷口照片??梢钥闯?,斷口上有很多纖維拔出。由于纖維的強(qiáng)度高于基體,因此承載時(shí)基體先開裂,但纖維沒有斷裂,仍能承受載荷,隨著載荷進(jìn)一步增大,基體和纖維界面脫粘,直至載荷達(dá)到纖維斷裂強(qiáng)度時(shí),纖維斷裂。由于纖維斷裂的位置不都在基體主裂紋平面上,所以斷口上有大量露頭的拔出纖維及纖維拔出后留下的孔洞。,12,樣品表面形貌觀察,燒結(jié)體燒結(jié)自然表面觀察晶相表面觀察,13,陶瓷表面的二次電子像,ZrO2-XY2O3 2%;燒結(jié)溫度1500
7、℃;晶粒細(xì)小的正方相。,14,陶瓷表面的二次電子像,ZrO2-XY2O3 6%;燒結(jié)溫度1500℃;晶粒尺寸較大的單相立方相。,15,陶瓷表面的二次電子像,正方相與立方相雙相混合組織。細(xì)小的晶粒為正方相, 晶粒尺寸 較大的為 立方相。,16,陶瓷表面的二次電子像,Al2O3+x ZrO215%;有棱角的大晶粒為Al2O3,小的白色球狀顆粒為ZrO2 。,17,金相樣品的二次電子像,可以看出其分辨率 及立體感均好于
8、光 學(xué)金相照片。珠光 體中的Fe3C與鐵素 體的層片形態(tài)及回 析出碳化物 火組織中析出的細(xì) 小碳化物均清晰地 顯示了出來(lái)。 珠光體組織,18,材料變形與斷裂動(dòng)態(tài)原位觀察,雙相鋼復(fù)合材料,19,雙相鋼,圖示為雙相鋼 拉伸斷裂過程 的動(dòng)態(tài)原位觀 察結(jié)果。 裂紋萌生
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