“集成電路與器件物理、半導(dǎo)體物理”(802)

1、“集成電路與半導(dǎo)體物理集成電路與半導(dǎo)體物理”(802)”(802)復(fù)習(xí)提綱復(fù)習(xí)提綱一、一、總體要求總體要求“集成電路與半導(dǎo)體物理”（802）由數(shù)字集成電路和半導(dǎo)體物理二部分組成，其中集成電路占40%（60分），半導(dǎo)體物理占60%（90分）。“數(shù)字集成電路”要求學(xué)生應(yīng)深入理解數(shù)字集成電路的相關(guān)基礎(chǔ)理論，掌握數(shù)字集成電路電路、系統(tǒng)及其設(shè)計(jì)方法。重點(diǎn)掌握數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的質(zhì)量評(píng)價(jià)、相關(guān)參量；能夠設(shè)計(jì)并定量分析數(shù)字集成電路的核心——反相器的完整

2、性、性能和能量指標(biāo)；掌握CMOS組合邏輯門的設(shè)計(jì)、優(yōu)化和評(píng)價(jià)指標(biāo)；掌握基本時(shí)序邏輯電路的設(shè)計(jì)、優(yōu)化、不同形式時(shí)序器件各自的特點(diǎn)，時(shí)鐘的設(shè)計(jì)策略和影響因素；定性了解MOS器件；掌握并能夠量化芯片內(nèi)部互連線參數(shù)?！鞍雽?dǎo)體物理”要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體的相關(guān)基礎(chǔ)理論，了解半導(dǎo)體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點(diǎn)掌握半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和帶、半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性、半導(dǎo)體中的非平衡載流子等相關(guān)知識(shí)

3、、基本概念及相關(guān)理論，掌握半導(dǎo)體中載流子濃度計(jì)算、電阻(導(dǎo))率計(jì)算以及運(yùn)用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時(shí)間或位置的變化及其分布規(guī)律等?！凹呻娐放c半導(dǎo)體物理”（802）研究生入學(xué)考試是所學(xué)知識(shí)的總結(jié)性考試，考試水平應(yīng)達(dá)到或超過本科專業(yè)相應(yīng)的課程要求水平。二、二、各部分復(fù)習(xí)要點(diǎn)各部分復(fù)習(xí)要點(diǎn)●“●“數(shù)字集成電路數(shù)字集成電路”部分各章復(fù)習(xí)要點(diǎn)部分各章復(fù)習(xí)要點(diǎn)“數(shù)字集成電路”考試范圍及要點(diǎn)包括：數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)質(zhì)量評(píng)價(jià)的基本要素；CMOS集成電

4、路設(shè)計(jì)規(guī)則與工藝縮?。欢O管基本結(jié)構(gòu)、參數(shù)、靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、二極管分析模型；MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)、閾值電壓、亞閾值特性、工作區(qū)、溝道長度調(diào)制、速度飽和、MOS晶體管分析模型；反相器靜態(tài)特性、開關(guān)閾值、噪聲容限、穩(wěn)定性，反相器動(dòng)態(tài)特性、電容構(gòu)成，傳播延遲分析與尺寸計(jì)算、反相器靜態(tài)功耗、動(dòng)態(tài)功耗；靜態(tài)互補(bǔ)CMOS組合邏輯門設(shè)計(jì)、尺寸設(shè)計(jì)、延遲計(jì)算與優(yōu)化，有比邏輯基本原理、傳輸管邏輯基本原理；動(dòng)態(tài)CMOS設(shè)計(jì)基本原理、信號(hào)完整性問題及其速

5、度與功耗；時(shí)序二極管手工分析模型二極管SPICE模型MOS晶體管結(jié)構(gòu)MOS晶體管工作區(qū)MOS晶體管靜態(tài)特性、閾值電壓、溝道長度調(diào)制、速度飽和MOS晶體管亞閾值特性MOS晶體管動(dòng)態(tài)特性MOS晶體管電容構(gòu)成熱載流子效應(yīng)CMOS閂鎖效應(yīng)MOS晶體管SPICE模型MOS晶體管手工分析模型（三）導(dǎo)線（三）導(dǎo)線1.1.復(fù)習(xí)內(nèi)容復(fù)習(xí)內(nèi)容互連線的電路模型，SPICE模型，確定并定量化互連參數(shù)；傳輸線效應(yīng)；互連線的信號(hào)完整性2.2.具體要求具體要求互連參