集成電路cmos題庫

1、一、選擇題1.Gordon Moore 在 1965 年預(yù)言:每個(gè)芯片上晶體管的數(shù)目將每個(gè)月翻一番。（B）A.12 B.18 C.20 D.24 2.MOS 管的小信號輸出電阻是由 MOS 管的效應(yīng)產(chǎn)生的。 （C）A.體 B.襯偏 C.溝長調(diào)制 D.亞閾值導(dǎo)通 3.在 CMOS 模擬集成電路設(shè)計(jì)中，我們一般讓 MOS 管工作在區(qū)。 （D）A.亞閾值區(qū) B.深三極管區(qū) C.三極管

2、區(qū) D.飽和區(qū) 4.MOS 管一旦出現(xiàn)現(xiàn)象，此時(shí)的 MOS 管將進(jìn)入飽和區(qū)。 （A）A.夾斷 B.反型 C.導(dǎo)電 D.耗盡 5.表征了 MOS 器件的靈敏度。 （C）A.B.C.D.o r b m g m g ox nc u6.Cascode 放大器中兩個(gè)相同的 NMOS 管具有不相同的。 （B）A.B.C.D.o r b m g m g ox nc u7.基本差分對

3、電路中對共模增益影響最顯著的因素是。 （C）A.尾電流源的小信號輸出阻抗為有限值 B.負(fù)載不匹配 C.輸入 MOS 不匹配 D.電路制造中的誤差 8.下列電路不能能使用半邊電路法計(jì)算差模增益。 （ C ）A.二極管負(fù)載差分放大器 B.電流源負(fù)載差分放大器 C.有源電流鏡差分放大器 D.Cascode 負(fù)載 Casocde 差分放大器 9.鏡像電流源一般要求相同的。

4、 （ D ）A.制造工藝 B.器件寬長比 C.器件寬度 W D.器件長度 L 10. NMOS 管的導(dǎo)電溝道中依靠導(dǎo)電。 （ ）A.電子 B.空穴 C.正電荷 D.負(fù)電荷 11.下列結(jié)構(gòu)中密勒效應(yīng)最大的是。 （A）A.共源級放大器 B.源級跟隨器 C.共柵級放大器

5、 D.共源共柵級放大器 12.在 NMOS 中，若 會(huì)使閾值電。 （A） 0 V sb ?C.減小放大器的共模增益 D.提高放大器的增益 22.共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個(gè)重要特性就是輸出阻抗。 （D）A.低 B.一般 C.高 D.很高 23. MOS 管的漏源電流受柵源過驅(qū)動(dòng)電壓控制

6、，我們定義來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的能力。 （A）A.跨導(dǎo) B.受控電流源 C.跨阻 D.小信號增益 24.MOS 管漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量是。 （C） A.電導(dǎo) B.電阻 C.跨導(dǎo) D.跨阻 25.隨著微電子工藝水平提高,特征尺寸不斷減小,這時(shí)電路的工作電壓會(huì)（ D） A.不斷提高 B.不變

7、 C.可大可小 D.不斷降低 26.工作在飽和區(qū)的 MOS 管，可以被看作是一個(gè)。 （B） A.恒壓源 B.電壓控制電流源 C.恒流源 D.電流控制電壓源 27.模擬集成電路設(shè)計(jì)中的第一步是。 （C） A.電路設(shè)計(jì) B.版圖設(shè)計(jì)

8、 C.規(guī)格定義 D.電路結(jié)構(gòu)選擇 28.NMOS 管中，如果 VB 變得更負(fù)，則耗盡層。 （C） A.不變 B.變得更窄 C.變得更寬 D.幾乎不變 29.模擬集成電路設(shè)計(jì)中的最后一步是。 （B） A.電路設(shè)計(jì) B.版圖設(shè)計(jì) C.規(guī)格定義

9、 D.電路結(jié)構(gòu)選擇 30. 不能直接工作的共源極放大器是（ C ）共源極放大器。 A.電阻負(fù)載 B.二極管連接負(fù)載 C.電流源負(fù)載 D.二極管和電流源并聯(lián)負(fù)載 31.采用二極管連接的 CMOS，因漏極和柵極電勢相同，這時(shí)晶體管總是工作在 。