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文檔簡(jiǎn)介
1、目的:
腦缺血損傷具有高發(fā)病率、高致殘率、高死亡率的特點(diǎn),已成為影響人類(lèi)健康的疾病之一。電針對(duì)腦缺血再灌注損傷的MAPK家族信號(hào)通路調(diào)控已有相關(guān)研究證明。而對(duì)于MAPK家族信號(hào)通路的整體調(diào)控作用研究較少,本研究試圖以JNK基因敲除小鼠為研究對(duì)象,從MAPK家族信號(hào)通路的整體性出發(fā)研究電針對(duì)JNK基因敲除小鼠腦缺血再灌注損傷的作用機(jī)制。為臨床電針治療腦缺血卒中進(jìn)一步提供科學(xué)基礎(chǔ)依據(jù)。
方法:
用隨機(jī)數(shù)字法將5
2、4只JNK基因敲除小鼠隨機(jī)分為假手術(shù)組,模型組,電針組,每組又分為2h,1d,3d3個(gè)亞組,參照Longa法制作局灶性腦缺血模型。電針組選用“尺澤、合谷”,“足三里、三陰交”穴位組合進(jìn)行電針干預(yù),每天1次。采用神經(jīng)行為學(xué)對(duì)大鼠神經(jīng)功能癥狀進(jìn)行評(píng)分、免疫雙標(biāo)結(jié)合激光共聚集顯微鏡,免疫印跡檢測(cè)JNK基因敲除小鼠腦內(nèi)p-ERK、p-p38的表達(dá)以及Q-PCR檢測(cè)ERK、p38mRNA表達(dá)水平。
結(jié)果:
1.神經(jīng)功能缺損癥狀
3、:在JNK基因敲除小鼠腦缺血再灌注損傷在3d時(shí)間點(diǎn)上,電針與模型組比較能降低JNK基因敲除小鼠神經(jīng)缺陷評(píng)分(p<0.05),有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義。
2.大腦海馬和皮層區(qū)p-ERK和p-p38光密度值的表達(dá)情況:電針對(duì)JNK基因敲除小鼠海馬和皮層區(qū)p-ERK和p-p38的光密度表達(dá)趨勢(shì)大致相同。在腦缺血再灌注1d和3d的時(shí)間點(diǎn)中,電針組p-ERK的IOD表達(dá)高于模型組的表達(dá),即與模型組相比能上調(diào)p-ERK信號(hào)通路的表達(dá)(p<0.05);
4、相同再灌注的時(shí)間段中電針與I/R組比較,電針組中p-p38的IOD值比模型組低,即電針下調(diào)p-p38信號(hào)通路的表達(dá)較模型組好,具有統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(p<0.05)。
3.ERK,p38mRNA基因相對(duì)表達(dá)量:1d,3d時(shí)間點(diǎn)上,與I/R組相比,EA組可以提高ERK的mRNA表達(dá),同時(shí)降低p38的mRNA表達(dá)(均為p<0.05)。
4.p-ERK,p-p38蛋白相對(duì)表達(dá)量:電針組JNK基因敲除小鼠腦內(nèi)p-ERK相對(duì)蛋白含量較
5、模型組表達(dá)高,而p-p38相對(duì)蛋白含量較模型組相應(yīng)蛋白表達(dá)低(p<0.05)。
結(jié)論:
電針“合谷、尺澤穴”,“三陰交、足三里”穴位組合可減輕JNK基因敲除腦缺血再灌注損傷神經(jīng)功能缺損癥狀,減輕腦組織損傷,起到腦保護(hù)作用。其腦保護(hù)作用的機(jī)制可能與電針同時(shí)上調(diào)JNK基因敲除小鼠腦內(nèi)p-ERK,下調(diào)p-p38信號(hào)通路的表達(dá)有關(guān)。“電針干預(yù)—同步調(diào)控JNK基因敲除小鼠腦內(nèi)MAPK信號(hào)通路ERK,p38信號(hào)通路的表達(dá)—促進(jìn)神
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