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1、目的:分別采用傳統(tǒng)鑄造技術(shù)、CAD/CAM切削蠟型鑄造技術(shù)、CAD/CAM切削金屬技術(shù)和直接金屬激光燒結(jié)技術(shù)制作鈷鉻基底冠,通過片切法利用體視顯微鏡測(cè)量縱剖面粘固劑的厚度,對(duì)比四種工藝制作的鈷鉻基底冠的邊緣及內(nèi)部適合性,為臨床應(yīng)用提供指導(dǎo)。
方法:
1、代型的制作
采用SolidWorks軟件設(shè)計(jì)下頜第一前磨牙預(yù)備體三維數(shù)字化模型,模型具體設(shè)計(jì)為:底座厚4mm,直徑8mm,預(yù)備體高6mm,(駘)向聚攏度6°
2、,肩臺(tái)135°,寬度1mm,內(nèi)線角圓鈍。在軸面設(shè)計(jì)一個(gè)直徑1mm,深0.5mm的溝作為冠就位和切割的定位標(biāo)志。將模型數(shù)據(jù)導(dǎo)入三維快速成型機(jī)(Projet3510 MP,3D Systerm,美國(guó)),光固化成型24個(gè)代型。將24個(gè)代型采用完全隨機(jī)分組方法分為A組、B組、C組、D組4組,每組6個(gè)代型,分別編號(hào)為A1-A6,B1-B6,C1-C6,D1-D6。
2、鈷鉻基底冠的設(shè)計(jì)和制作
A組代型采用傳統(tǒng)鑄造技術(shù)制作鈷鉻基
3、底冠。代型A1-A6均涂布石蠟油作為分離劑,使用BEGO牙冠蠟分別在6個(gè)代型上依次堆塑蠟型,蠟型厚度均勻?yàn)?.5mm,在蠟型軸線角處安插鑄道并在鑄道上按A1-A6編號(hào)做標(biāo)記,磷酸鹽包埋材料包埋,鑄造6個(gè)鈷鉻基底冠,噴砂去除冠內(nèi)組織面的包埋料。
B組代型采用CAD/CAM切削蠟型后鑄造技術(shù)制作鈷鉻基底冠。在代型B1-B6表面均勻噴涂成像粉,采集其光學(xué)印模并設(shè)計(jì)相對(duì)應(yīng)的基底冠三維數(shù)字化模型,邊緣隙料厚度設(shè)為10μm,頸緣以上隙料厚
4、度設(shè)為40μm,基底冠厚度為0.5mm。將基底冠數(shù)字化模型導(dǎo)入imes-icore CAD/CAM系統(tǒng),切削Wieland蠟塊,得到6個(gè)蠟型,安插鑄道并在鑄道上按B1-B6編號(hào)做標(biāo)記,常規(guī)包埋鑄造6個(gè)鈷鉻基底冠,噴砂去除冠內(nèi)組織面的包埋料。
C組代型采用CAD/CAM切削鈷鉻金屬制作鈷鉻基底冠。在C1-C6表面噴涂成像粉并掃描代型,設(shè)計(jì)基底冠三維數(shù)字化模型,模型設(shè)計(jì)要求與B組相同。將對(duì)應(yīng)的基底冠數(shù)字化模型導(dǎo)入imes-icor
5、e CAD/CAM系統(tǒng),切削BEGO鈷鉻塊,得到6個(gè)鈷鉻基底冠。
D組代型采用直接金屬激光燒結(jié)(Direct Metal Laser Sintering,DMLS)技術(shù)制作鈷鉻基底冠。在D1-D6表面噴涂成像粉并掃描,設(shè)計(jì)基底冠三維數(shù)字化模型,模型設(shè)計(jì)要求與B組相同。將對(duì)應(yīng)的基底冠數(shù)字化模型導(dǎo)入EOS M270系統(tǒng),激光燒結(jié)BEGO鈷鉻粉,得到6個(gè)鈷鉻基底冠。
四組基底冠分別用100目的氧化鋁砂粒在0.2MPa壓力下
6、噴砂20s,噴嘴距離冠組織面2cm,蒸餾水超聲清洗30s后吹干備用。
3、基底冠的粘固
按照產(chǎn)品使用說明規(guī)范調(diào)和玻璃離子水門汀,按各組編號(hào)將鈷鉻基底冠粘固于相對(duì)應(yīng)的代型上,用50N的力加壓10min,去除多余粘固劑,室溫放置24h。
4基底冠與代型的包埋、片切
用自凝樹脂將粘固后的基底冠與代型包埋,制成1.2×1.2×1.2cm的正方體,待自凝樹脂硬固后,金剛砂片切機(jī)在冷水降溫條件下沿代型底座中央
7、縱剖,剖面依次用240#、400#、600#和800#砂紙逐級(jí)打磨拋光,清洗干燥。
5、體視顯微鏡測(cè)量粘固劑厚度
將片切后的試件縱剖面向上,使用Olympus SZX16體視顯微鏡在100倍視野下,利用DP2-BSW軟件分別測(cè)量基底冠邊緣、距離邊緣0.1mm、肩臺(tái)中央、軸面中央和(駘)面中央各點(diǎn)與代型之間粘固劑的厚度。每個(gè)測(cè)量位置分別在同一試件的兩個(gè)縱剖面上各測(cè)量三次,取平均值。
6、統(tǒng)計(jì)學(xué)分析
8、采用SPSS13.0軟件對(duì)四組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)學(xué)分析,如果數(shù)據(jù)正態(tài)分布且方差齊,用方差分析;如果數(shù)據(jù)非正態(tài)或方差不齊,則用秩和檢驗(yàn)。檢驗(yàn)水準(zhǔn)α=0.05。
結(jié)果:
1、四組試件邊緣間隙測(cè)量結(jié)果: A組66.08±3.90μm,B組53.42±2.76μm,C組29.21±3.31μm,D組24.96±2.99μm,方差分析顯示,四組之間邊緣間隙差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.01)。
2、四組試件內(nèi)部間隙測(cè)量結(jié)果
9、: A組114.10±27.66μm,B組105.26±37.99μm,C組73.69±31.31μm,D組79.89±33.63μm,方差分析顯示,A組與C組、A組與D組、B組與C組、B組與D組之間均有統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P<0.01),A組與B組、C組與D組之間均無統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P>0.05)。
3、同組試件不同部位間隙測(cè)量結(jié)果:殆面中央處間隙最大,其次是軸面,肩臺(tái)中央處,邊緣0.1mm處,邊緣處間隙最小。
結(jié)論:
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