多孔Pt納米陣列氧催化還原電極和四電極系統(tǒng)中的歐姆降補償.pdf

1、本論文分為兩個部分分別探討了納米材料修飾電極的制備及應(yīng)用和電化學(xué)測量中未補償溶液電阻的電位降的補償新方法及100％補償?shù)拇_定。 首先，在簡單綜述了納米材料的研究現(xiàn)狀以及在修飾電極方面的應(yīng)用的基礎(chǔ)上，用一種簡易有效的方法制備了海綿狀的納米多孔鉑。先是用循環(huán)伏安法在玻碳電極上電沉積得到鉑銅合金，然后在濃硝酸中刻蝕合金去掉銅。利用場發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)、X射線光電子能譜(XPS)、X-射線衍射(XRD)、電化學(xué)阻抗譜(EIS)

2、和循環(huán)伏安法(CV)對其進行了表征。為了提高此種鉑催化劑的催化活性，我們對其制備條件進行了優(yōu)化。研究發(fā)現(xiàn)此種鉑修飾電極對氧的還原表現(xiàn)出很高的電催化活性，其氧的還原峰電流是相應(yīng)納米鉑修飾電極的四倍。因此這種新型的鉑修飾電極可期望應(yīng)用于燃料電池和生物傳感器等領(lǐng)域。 其次，在本實驗室先前研究的基礎(chǔ)上，發(fā)展了四電極補償系統(tǒng)，設(shè)計了微型電化學(xué)池補償系統(tǒng)，克服了之前補償系統(tǒng)的不足之處，并且得到了準備的100％補償。在微型電化學(xué)池中，通過固定

3、工作電極，輔助工作電極接地并改變其位置來實現(xiàn)動態(tài)的補償。此法得到了無振蕩影響的不同程度的補償及過補償，我們對影響補償效果的因素進行了探討。雖然這種補償方法可以達到不同的補償程度，甚至過補償，但在實際的電化學(xué)測量中，100％補償顯得尤為重要，經(jīng)過一系列的探索，我們發(fā)現(xiàn)對工作電極上的電位和輸入電位進行實時比較來確定100％補償，能夠能到很好的結(jié)果。通過對100％補償下的循環(huán)伏安曲線和理論計算的曲線進行比較證明了該補償方法及100％補償?shù)拇_定