低維高分子體系中量子晶格漲落的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、研究人員采用不同的方法研究了低維高分子體系中的量子晶格漲落及其引起新的物理現(xiàn)象,首先,采用唯象的方法,通過一個簡單孤子-反孤子對模型來模擬一維有機高分子中的量子晶格漲落,高分子中電子能隙內(nèi)的光吸收是由孤子-反孤子對激發(fā)的兩個分別來源于導(dǎo)帶的最低未占據(jù)價帶的最占據(jù)分立能級之間的躍遷產(chǎn)生的.其次,研究人員采用泛函積分的處理方法,在積去配分函數(shù)中電子的Grassmann變量后得到體系的有效聲子作用量.然后采用鞍點近似,展開體系的有效聲子作用量

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