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文檔簡介
1、本文針對多晶硅薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)提出了一個解析的亞閾值區(qū)電流模型,該模型在金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶和準(zhǔn)分子激光結(jié)晶兩種不同結(jié)晶工藝的器件上得到了驗證。
本研究首先澄清了多晶硅TFTs的亞閾值區(qū)電流成分為漂移電流,并首次發(fā)現(xiàn)亞閾值區(qū)溝道有效遷移率(effective channel mobility,μeff)遵守Meyer-Neldel rule(MNR)。兩種不同結(jié)晶工藝的多晶硅TFT器
2、件中提取的特征MN能量,以及MNR開始失效時對應(yīng)的激活能均接近硅的光聲子能量,為MNR提供了有力依據(jù)。在晶粒間界處,多聲子吸收激發(fā)載流子以熱離化發(fā)射越過晶粒間界勢壘是MNR的物理根源。然后,提出了一個解析的多晶硅TFT亞閾區(qū)值電流模型。澄清了亞閾值區(qū)內(nèi)的溝道反型過程,并基于柵與溝道間的電容-電壓測量對溝道反型層電荷密度進(jìn)行建模?；贛NR構(gòu)建了溝道有效遷移率模型,同時考慮亞閾值區(qū)內(nèi)載流子的漂移運動,推導(dǎo)得到了適用于多晶硅 TFT的解析的
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