3C-SiC緩沖層對在6H-SiC上生長SiCGe的影響.pdf

1、碳化硅是一種具有寬禁帶、高電子飽和漂移速度、高的熱導(dǎo)率以及高的臨界擊穿電場等優(yōu)異特性的新型半導(dǎo)體材料。但是SiC禁帶太寬，對可見光和紅外光都不敏感，從而限制了SiC在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用。因此采用 CVD方法在SiC襯底上外延生長SiCGe三元合金，希望通過調(diào)節(jié)SiCGe中Ge的含量來裁減SiCGe的能帶，使其對紅外和可見光有較強(qiáng)的吸收，進(jìn)而開發(fā)碳化硅在光電子技術(shù)領(lǐng)域的新應(yīng)用。所在課題組首先利用熱壁CVD系統(tǒng)在6H-SiC襯底上生長 SiC

2、Ge三元合金。經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)兩種材料的晶格失配應(yīng)力嚴(yán)重影響了生長薄膜的晶質(zhì)。3C-SiC與具有確定組分比的SiCGe晶格失配較小。為此，考慮在SiCGe三元合金薄膜與襯底之間加入3C-SiC緩沖層。
　　主要工作包括:
　　1.緩沖層生長。首先分析了襯底溫度、氣體流量、生長室壓力和降溫過程等因素對3C-SiC在6H-SiC襯底上生長品質(zhì)的影響。借助小角X射線衍射(SAXRD)對其結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析，對工藝條件進(jìn)行了優(yōu)化，確定了