6H-SiC襯底上Si薄膜的拉曼光譜研究.pdf

1、在6H-SiC襯底上生長Si薄膜,希望以此作為光吸收層,實現(xiàn)SiC功率器件的非紫外光觸發(fā)。Si/SiC異質(zhì)結(jié)的光電特性與Si薄膜的生長質(zhì)量關系密切,提高Si薄膜的生長質(zhì)量成為實現(xiàn)終極目標的關鍵。本文使用低壓化學氣相淀積系統(tǒng),在6H-SiC襯底上生長對可見光和近紅外光有較強吸收的Si薄膜,利用拉曼光譜技術對在不同工藝條件下制各的 Si薄膜結(jié)晶質(zhì)量進行表征分析。主要研究內(nèi)容和結(jié)果如下:
　　1、對6H-SiC襯底上生長溫度不同的Si薄

2、膜的結(jié)晶質(zhì)量進行了拉曼光譜表征。研究發(fā)現(xiàn),隨著薄膜生長溫度的升高,拉曼峰逐漸向520cm-1頻移,且半峰寬逐漸減小,晶化率提高,薄膜品質(zhì)逐漸改善。
　　2、在襯底的C面生長時,隨著摻雜濃度的提高,薄膜的拉曼峰逐漸向520cm_l頻移,且半峰寬先減小后增大,說明適度的摻雜有利于結(jié)晶質(zhì)量的提高。其中B/Si原子比為3.Oxl0-3時,薄膜質(zhì)量較好。
　　3、生長時間從30s增至60s時,薄膜的拉曼散射峰不斷向高頻方向頻移,但都小