H-,2--C-,2-H-,2-系統(tǒng)電子助進(jìn)熱絲化學(xué)氣相沉積動(dòng)力學(xué)過(guò)程研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該工作采用蒙特卡羅方法,首次對(duì)以H<,2>/C<,2>H<,2>為源氣體合成金剛石薄膜的EACVD過(guò)程進(jìn)行了研究,初步建立了EACVD氣相動(dòng)力學(xué)模型.主要結(jié)果如下:(1)研究了氫原子的產(chǎn)生及其空間分布隨實(shí)驗(yàn)條件的變化.給出了氣體溫度聚平均溫度及取隨空間變化的溫度時(shí),偏壓為100V、200V、300V的條件下,氫原子的產(chǎn)生;(2)研究了低溫淀積金剛石的生長(zhǎng)機(jī)制,提出了金剛石生長(zhǎng)所需的基片溫度和基片表面上含碳粒子能量的關(guān)系,并且指出:如果要

2、獲得高質(zhì)量的金剛石薄膜,除了含碳物種具有沿著基片表面擴(kuò)散的能力外,還要求有大量的氫原子存在;(3)提出了一種由氫原子譜線測(cè)定電子平均能量的方法,結(jié)果對(duì)EACVD生長(zhǎng)金剛石薄膜過(guò)程中,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電子平均能量具有重要的意義,進(jìn)而可以有效地控制工藝條件,生長(zhǎng)出高質(zhì)量的金剛石薄膜;(4)給出了在不同E/N條件下,電子在乙炔分子中的漂移速度曲線,及在不同E/N條件下,電子的能量分布情況.上述結(jié)果對(duì)于EACVD合成金剛石薄膜中實(shí)驗(yàn)參數(shù)的選擇及低溫下合

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