基于CA模型的單晶硅各向異性腐蝕微觀模擬.pdf

1、單晶硅各向異性腐蝕技術(shù)是MEMS技術(shù)的核心工藝之一，精確地對(duì)各向異性腐蝕的結(jié)果進(jìn)行計(jì)算機(jī)模擬，對(duì)MEMS工藝水平的提高具有重要的意義。 本文在VC環(huán)境下，根據(jù)3-D動(dòng)態(tài)連續(xù)CA算法抽象了硅各向異性腐蝕模型，利用面向?qū)ο缶幊陶Z(yǔ)言實(shí)現(xiàn)了用戶對(duì)圖形的靈活操作，利用OpenGL技術(shù)實(shí)現(xiàn)了圖形的繪制和腐蝕過(guò)程的三維動(dòng)態(tài)顯示，建立了硅各向異性腐蝕的三維動(dòng)態(tài)模擬系統(tǒng)，從微觀角度模擬了硅各向異性腐蝕的動(dòng)態(tài)過(guò)程。本文首先分別建立了基于靜態(tài)和動(dòng)態(tài)存

2、儲(chǔ)方式單晶硅各向異性腐蝕微觀模擬。通過(guò)分析單晶硅結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，提出了以硅晶胞為最小處理單位的設(shè)計(jì)思想，采用動(dòng)靜態(tài)相結(jié)合的方式對(duì)原子進(jìn)行存儲(chǔ)操作。根據(jù)用戶輸入腐蝕版圖尺寸，系統(tǒng)動(dòng)態(tài)分配二維數(shù)組存儲(chǔ)原子信息，通過(guò)對(duì)每個(gè)原子信息的分析和判斷，完成硅襯底動(dòng)態(tài)腐蝕模擬。在腐蝕算法中，把硅各向異性腐蝕看作硅原子的移除過(guò)程，依據(jù)原子相鄰原子和次相鄰原子的數(shù)目判斷原子所在晶面，根據(jù)用戶輸入的各晶面的腐蝕速率計(jì)算原子的生命值，當(dāng)生命值為0時(shí)去除該原子。本系統(tǒng)