版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、層狀材料獨(dú)特的結(jié)構(gòu)有利于通過插層、剝離、雜化等途徑來調(diào)控其本征物性,尤其當(dāng)厚度接近原子尺度,對其表面態(tài)的修飾將帶來豐富的科學(xué)內(nèi)涵、優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)及廣闊的應(yīng)用前景。過渡金屬硫?qū)倩衔?transition metalchalcogenides,TMDs)作為層狀材料典型的代表受到廣泛關(guān)注。本論文從TMDs的相結(jié)構(gòu)調(diào)控入手,主要探索穩(wěn)定的金屬相1T-MS2(M=Mo/W)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、液相合成及其相關(guān)光電性能,發(fā)展了自下而上的水熱/溶劑熱
2、方法合成具有穩(wěn)定金屬相的1T-MS2(M=Mo/W)及其1T異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),并對合成反應(yīng)機(jī)理、產(chǎn)物的原子結(jié)構(gòu)和光/電催化性能進(jìn)行了深入研究,相關(guān)結(jié)果有望為未來設(shè)計(jì)和制備高效能源轉(zhuǎn)換材料提供新的思路。
本論文開展的主要研究內(nèi)容和取得的研究結(jié)果如下:
1、發(fā)展了自下而上的一步水熱法合成出具有穩(wěn)定金屬相的銨根插層1T-WS2納米帶,并探討了其特異結(jié)構(gòu)與性能的構(gòu)效關(guān)系。研究結(jié)果表明,過量含有氨基的硫源是形成插層結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵。原子分
3、辨掃描透射電鏡(HAADF-STEM)和同步輻射X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)譜證明鎢-鎢鍵重構(gòu)和鎢-硫鍵形成扭曲八面體,呈現(xiàn)出鎢-鎢鍵鍵長為2.77(A)的之字形鏈狀超晶格結(jié)構(gòu),從而表現(xiàn)出奇特的金屬電輸運(yùn)特性和豐富的拉曼光散射行為,密度泛函理論從理論上證實(shí)了實(shí)驗(yàn)觀察結(jié)果。這種由下而上的銨根插層并穩(wěn)定金屬相1T-WS2合成策略可以拓展到其他穩(wěn)定金屬相1T-TMD的合成如1T-MoS2,1T-MoSe2和1T-WSe2等,將為基礎(chǔ)科學(xué)研究領(lǐng)域和電子學(xué)
4、、光學(xué)和催化等實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域提供豐富的材料基礎(chǔ)。
2、通過改進(jìn)水熱合成方法制備了克量級金屬相1T-MoS2納米片,利用HAADF-STEM和EXAFS手段證明了Mo-Mo鍵長收縮為2.72(A)而形成之字形鏈狀超晶格結(jié)構(gòu),Mo-S鍵形成了扭曲的八面體配位環(huán)境而表現(xiàn)出1T相,與密度泛函計(jì)算結(jié)果一致。光解水產(chǎn)氫實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明1T-MoS2具有優(yōu)異的光催化性能,這主要是源于更有效的電子空穴分離效率和更多的反應(yīng)活性位點(diǎn)。這種自下而上的穩(wěn)定
5、金屬相1T-MoS2的大規(guī)模合成方法為原位合成具有緊密界面的1T相異質(zhì)結(jié)電催化劑和光催化劑提供了可能性;同時,這種由過量含有氨基的硫源合成銨根插層結(jié)構(gòu)的方法有望推廣到其他具有類似結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定金屬1T相的層狀過渡金屬硫?qū)倩衔铮ɡ鏜oSe2和WSe2等)的高效合成上,從而為其在電子學(xué)、光學(xué)、催化和其他相關(guān)領(lǐng)域的潛在應(yīng)用提供了機(jī)會。
3、通過溶劑熱方法在CdS納米棒上原位生長了1T-MoS2,測試結(jié)果表明當(dāng)負(fù)載量僅為0.2 wt%
6、時,相對于純CdS,CdS@1T-MoS2異質(zhì)結(jié)的產(chǎn)氫速率提高了39倍。同時,穩(wěn)態(tài)和時間分辨的光致發(fā)光光譜及超快吸收光譜進(jìn)一步證明了助催化劑1T-MoS2的存在使得CdS納米棒上的光生電子快速地被轉(zhuǎn)移,從而顯著抑制了電子空穴的復(fù)合。該方法具有普適性,借助該方法我們也成功合成了TiO2@1T-MoS2異質(zhì)結(jié),實(shí)現(xiàn)了顯著增強(qiáng)的光催化產(chǎn)氫性能。這些工作提供了一種可以在半導(dǎo)體表面原位生長金屬相1T-MoS2異質(zhì)結(jié)的新方法,這種非Pt的高效廉價助
7、催化劑的引入顯著提高了光催化性能,為設(shè)計(jì)高效光催化體系提供了機(jī)遇。
4、發(fā)展了原位合成方法在單壁碳納米管薄膜表面原位生長穩(wěn)定的1T-MoS2納米補(bǔ)丁,實(shí)現(xiàn)了二硫化鉬電催化劑形貌上納米化,物相上金屬相化以及與高導(dǎo)電襯底緊密結(jié)合的多重協(xié)同調(diào)控作用。理論計(jì)算表明,與單壁碳納米管薄膜緊密結(jié)合的1T-MoS2與純的1T-MoS2相比較而言,碳納米管可以將電子有效地轉(zhuǎn)移到1T-MoS2上,使得其與*H的結(jié)合能降低,表面產(chǎn)生的H2更容易釋放
8、。電化學(xué)析氫測試結(jié)果表明,該1T-MoS2/SWNT復(fù)合材料具有優(yōu)異的電催化析氫反應(yīng)性能:其起始過電位約為40mV;塔菲爾斜率僅為36mVdecade-1;同時,表現(xiàn)出優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性。多種表征結(jié)果證實(shí)1T-MoS2納米補(bǔ)丁超小的尺寸(約為5nm)可以暴露出更多的活性邊緣和面內(nèi)催化活性位點(diǎn),同時碳管與1T-MoS2的緊密接觸有效降低了轉(zhuǎn)移電阻,兩者協(xié)同作用帶來優(yōu)異的電催化性能。這種在碳管膜上原位生長1T-MoS2納米補(bǔ)丁的策略為進(jìn)一步提
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- Phase Engineering,Structural Characterization of 1T-MS2 (M=W-Mo)and their Energy Applications.pdf
- TiO2基新型催化劑合成及光電催化性能研究.pdf
- MoS2復(fù)合材料的設(shè)計(jì)合成及光電催化性能研究.pdf
- CuInS2薄膜的制備和光電催化性能研究.pdf
- C摻雜SnO2材料的制備及光電催化性能研究.pdf
- 碳-金屬納米復(fù)合材料的合成及其光電催化性質(zhì)的研究.pdf
- M-TiO2(M=Pt、Ru、Pd)納米管陣列的制備及光電催化性能研究.pdf
- 納米TiO2基催化劑的制備及光電催化性能研究.pdf
- CuFeO2薄膜的制備及其光電催化性能的研究.pdf
- 鈦基薄膜的制備及其光電催化性能研究.pdf
- 摻雜型TiO2光電極制備及其光電催化性能研究.pdf
- 半導(dǎo)體基催化材料的制備及其光電催化性能研究.pdf
- CdSe薄膜電極改性及其光電催化性能研究.pdf
- 3628.新型光催化電極材料的合成及其光電催化性能的探究
- PbO2-TiO2納米復(fù)合電極的制備及光電催化性能研究.pdf
- TiO2光催化劑的制備及其光電催化性能研究.pdf
- ZnO納米結(jié)構(gòu)的制備及其光、光電催化性能.pdf
- 電催化及光電催化氧化印染廢水的研究.pdf
- 非金屬摻雜TiO-,2-納米管的制備及其光電催化性能研究.pdf
- TiO2基納米材料的制備及其光電催化性能的研究.pdf
評論
0/150
提交評論