Si、SiC表面S鈍化工藝探索與研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本研究的動機在于對Si(IOO)表面實現(xiàn)基于Valence-Mending概念的S鈍化并對SiC表面S鈍化效果進行初步研究。實驗中采用(NH4)2S與NH3.H20混合溶液分別鈍化了Si、6H-S1C表面,采用丨-V測試,少子壽命測試以及XPS測試等表征手段分別研究了Si的S鈍化工藝,S鈍化效果及其穩(wěn)定性。此外,還初步研宂分析了N型6H-SiC(C面)的S鈍化效果。從實驗中得出了以下主要結(jié)論。對于Si的S鈍化實驗：生長約20A犧牲氧化層

2、的工藝參數(shù):氧化溫度8001C,氧化時間40s,O2流量為3L/min；(NH4)2S溶液的最佳濃度0.33?0.8moI/L,NH3-H2O的最佳濃度2.4mol/L；在最佳鈍化工藝參數(shù)下,S鈍化使得Ni/n-Si與AI/p~Si的肖特基勢壘高度分別向其理想勢壘高度靠近了0.09eV和0.08e V.其結(jié)果間接反映S鈍化減少了Si(IOO)表面態(tài)密度；少子壽命測試結(jié)果顯示,S鈍化提升了Si(IOO)的少子壽命約I個數(shù)量級左右。熱穩(wěn)定性

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