三維堆疊封裝硅通孔熱機械可靠性分析.pdf

1、近年來，微電子行業(yè)快速發(fā)展，對于電子產(chǎn)品的封裝要求也越來越高，就促使封裝行業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)獲得進一步改進，其中硅通孔技術(shù)的出現(xiàn)將封裝業(yè)帶入了一個新的轉(zhuǎn)折點，但是隨著尺寸的微細化，硅通孔技術(shù)作為一項新的技術(shù)，也存在很多問題，考慮到封裝的疲勞和失效，其中對于三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)的熱可靠性分析成為了該項技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。為了避免封裝結(jié)構(gòu)關(guān)鍵部位在熱載荷的作用下發(fā)生熱變形失效，本文進行了以下幾個方面的研究。
　　首先，研究了電鍍銅使用不同的材料屬性

2、參數(shù)，單個硅通孔在熱沖擊溫度載荷下的熱機械響應(yīng)。經(jīng)過多次有限元分析，得出兩者應(yīng)力大小和分布的不同，總結(jié)應(yīng)力大小分布發(fā)生的機理，進一步研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)對于單個硅通孔熱機械可靠性的影響。對比了相同結(jié)構(gòu)參數(shù)下單個硅通孔在二維模型和三維模型下的分析結(jié)果。經(jīng)過多次建模分析，得出了在兩種模型下，硅通孔的應(yīng)力大小和分布的相同點和不同點。
　　其次，用解析法和數(shù)值方法聯(lián)合研究二維俯視圖和軸向圖簡化結(jié)構(gòu)的適用范圍，通過探究得出，芯片堆疊封裝用二維軸向