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文檔簡介
1、我們正在經(jīng)歷的21世紀(jì)是一個信息量呈幾何數(shù)量級增長的信息大爆炸時代。盡管科學(xué)技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)使人們能夠?qū)?shù)十GB甚至上百GB的信息量存儲于指甲大小的存儲介質(zhì)中,但在涉及到需要超大數(shù)據(jù)量存儲的大數(shù)據(jù)時代背景下,我們現(xiàn)有的信息存儲技術(shù)還是遇到了不小的瓶頸。如何在單位面積上提高信息的存儲密度是一個新興研究方向,早在2010年,我們課題組首次實現(xiàn)了基于有機小分子的三進(jìn)制信息存儲,為今后超高密度信息存儲的實現(xiàn)提供了新方法。本文在本課題組工作基礎(chǔ)上,
2、設(shè)計合成了13個有機共軛小分子,考察了分子結(jié)構(gòu)與電存儲器件性能之間的相互關(guān)系,為高密度存儲提供新的材料,主要從以下幾個方面展開:
?。?)研究了環(huán)狀烷基鏈的空間扭曲效應(yīng)對分子平面性及電存儲器件性能的影響:設(shè)計合成了三個以苯并喹啉為核心骨架的分子,通過三個分子中烷基鏈的空間扭曲效應(yīng)不同來調(diào)節(jié)分子平面性并分別研究了三個分子所制得器件的電存儲性能。實驗結(jié)果表明由于三個分子中烷基鏈的空間扭曲情況不一,扭曲度從環(huán)辛基、環(huán)己基、甲基依次降低
3、,進(jìn)而導(dǎo)致三個分子的平面性依次提升。分子平面性的提升有利于器件薄膜中分子間更加緊密π-π堆積的形成,并能有效提高器件薄膜的成膜質(zhì)量,利于薄膜中載流子的遷移,降低載流子從電極到有機層的注入能壘,導(dǎo)致器件的開啟閾值電壓隨著分子平面性的提升依次降低和ON/OFF電流比的依次升高。該實驗結(jié)果對后續(xù)低功耗電存儲材料的設(shè)計具有指導(dǎo)意義。
?。?)研究了分子在薄膜中不同聚集方式對電存儲器件性能的影響:設(shè)計合成了兩個有機小分子,通過調(diào)控苯并噻唑
4、單元在分子結(jié)構(gòu)中的取代基位置,來實現(xiàn)分子在薄膜中的聚集方式的改變,實驗結(jié)果表明,當(dāng)苯并噻唑取代基在對位時,分子在薄膜中采取H聚集的方式,而當(dāng)苯并噻唑取代基在間位時,分子在薄膜中采取的是J聚集的排列方式。I-V測試表明,采取H聚集方式的分子所制得的器件的開啟電壓低于J聚集的分子所制得的器件,這是因為采取H聚集的的分子由于其較大的π-π共軛面,在施加電場時,載流子能迅速有效地在分子間傳遞,電子的離域能力較強,器件的閾值電壓明顯降低,本章節(jié)的
5、實驗結(jié)果表明,通過對分子結(jié)構(gòu)的微調(diào)來實現(xiàn)分子在薄膜中的聚集方式的改變,能有效的優(yōu)化器件的性能,尤其是實現(xiàn)器件閾值電壓的降低,對進(jìn)一步設(shè)計合成低功耗存儲材料有一定的指導(dǎo)意義。
(3)研究了末端供電子基團共軛程度的對電存儲器件性能的影響:設(shè)計合成了三個具有相同吸電子基團的有機小分子,通過改變分子末端供電子基團的共軛程度,來實現(xiàn)器件性能的優(yōu)化。實驗結(jié)果表明,基于三個有機小分子制得的電存儲器件均表現(xiàn)出了三進(jìn)制存儲行為,但三者的開啟電壓
6、隨著末端供電子基從三苯胺變?yōu)檫沁蛞约拜?,依次降低,這是由于三苯胺基團的空間扭曲無論在薄膜的成膜特性上,還是在D-A之間的共軛程度上都不如咔唑和蒽基團,進(jìn)一步的理論計算發(fā)現(xiàn),蒽基團與分子骨架間的二面角在三個分子間是最小,其較好的共軛程度也有利于器件開啟電壓的降低,本章節(jié)的研究結(jié)果表明,通過微調(diào)分子末端供電子基團的共軛程度能有效影響器件的性能,尤其是器件的開啟電壓,對進(jìn)一步設(shè)計合成低功耗存儲材料有一定的指導(dǎo)意義。
?。?)研究了分子
7、骨架中電荷陷阱數(shù)量的調(diào)節(jié)對器件存儲性能的影響:設(shè)計合成了三個有機小分子,分子骨架中分別含有一個,兩個,三個吸電子基團,考察了分子骨架中吸電子基團的數(shù)量對器件性能的影響,再次證實了通過調(diào)節(jié)分子骨架中吸電子基團的數(shù)量來實現(xiàn)器件存儲進(jìn)制的提升是一條可行的策略,為初步提出的“電荷陷阱”理論提供了有力的證據(jù),并且隨著三吸電子基團的引入,初步實現(xiàn)了四進(jìn)制信息存儲,為超高密度信息存儲的實現(xiàn)提供了可能的依據(jù)。
?。?)研究了含三陷阱有機小分子的
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