淺析X-ray輻射對SSD閃存數(shù)據(jù)存儲的影響.pdf

1、早在上世紀60年代，人們就發(fā)現(xiàn)由于太空輻射導致了微電子器件功能失效，這對衛(wèi)星產(chǎn)生了致命的危害。后期的各個時間段里，人們對輻射對微電子器件的影響的機理做了詳細的研究，并提出了加固的方案。不過前期的研究，主要還是正對MOS管器件。
　　隨著EPROM、EEPROM、DDR、Flash的陸續(xù)發(fā)明和使用，輻射對這些產(chǎn)品的影響也逐步的被意識和研究。
　　本文是基于在實際生產(chǎn)過程中，發(fā)現(xiàn)存在閃存中的數(shù)據(jù)，經(jīng)過了一定時間X射線的檢查后，原

2、來的閾值電壓有變化，進而針對現(xiàn)在常用的24nm SSD存儲芯片做了進一步的研究。本文首先對閃存產(chǎn)品的基本結(jié)構和讀、寫、擦的功能做了基本介紹;然后是詳細介紹了所使用的芯片結(jié)構和測試使用的軟硬件，給出了實驗計劃和實驗結(jié)果的分析方法;根據(jù)實驗的結(jié)果做了詳細的分析，確認了在不同輻射劑量下對不同存儲數(shù)據(jù)類型的影響，溫度，不同疊層，不同芯片受到一定輻射后的差異性，以及受到輻射后從新擦除和寫入數(shù)據(jù)的正確性和可靠性做了比較詳細的研究。
　　基于E