淺析X-ray輻射對SSD閃存數據存儲的影響.pdf

1、早在上世紀60年代，人們就發(fā)現由于太空輻射導致了微電子器件功能失效，這對衛(wèi)星產生了致命的危害。后期的各個時間段里，人們對輻射對微電子器件的影響的機理做了詳細的研究，并提出了加固的方案。不過前期的研究，主要還是正對MOS管器件。
　　隨著EPROM、EEPROM、DDR、Flash的陸續(xù)發(fā)明和使用，輻射對這些產品的影響也逐步的被意識和研究。
　　本文是基于在實際生產過程中，發(fā)現存在閃存中的數據，經過了一定時間X射線的檢查后，原

2、來的閾值電壓有變化，進而針對現在常用的24nm SSD存儲芯片做了進一步的研究。本文首先對閃存產品的基本結構和讀、寫、擦的功能做了基本介紹;然后是詳細介紹了所使用的芯片結構和測試使用的軟硬件，給出了實驗計劃和實驗結果的分析方法;根據實驗的結果做了詳細的分析，確認了在不同輻射劑量下對不同存儲數據類型的影響，溫度，不同疊層，不同芯片受到一定輻射后的差異性，以及受到輻射后從新擦除和寫入數據的正確性和可靠性做了比較詳細的研究。
　　基于E