通過硬件參數(shù)調(diào)整解決功率MOS產(chǎn)品接觸層特殊圖形光刻膠倒膠缺陷的方案.pdf

1、作為光刻工藝中的主要缺陷之一,光刻膠倒膠缺陷對于最終的產(chǎn)品良率有著極大的影響。光刻膠倒膠缺陷的產(chǎn)生,很大一部分原因是由于晶圓表面接觸角不佳。光刻的六甲基二硅胺烷(HMDS)涂布工藝正是改善晶圓表面接觸角的關鍵步驟。本課題的研究目的在于通過硬件參數(shù)的調(diào)整,進一步提高和優(yōu)化光刻HMDS涂布工藝的能力,解決功率MOS產(chǎn)品A特殊圖形的倒膠問題,提高產(chǎn)品良率。
　　本課題的意義在于目前國內(nèi)外各工廠對于HMDS涂布工藝能力的提高主要基于對工藝

2、程式的優(yōu)化調(diào)整,而對于HMDS涂布腔本身的硬件參數(shù)條件并未有所改善,基本使用設備供應商所提供的標準參數(shù)。對硬件參數(shù)條件對于工藝能力的影響的研究非常缺乏。在這樣的條件下,對于整個HMDS涂布工藝能力的提高程度有限且具有相當?shù)木窒扌浴?br>　　通過硬件參數(shù)的調(diào)整,提高光刻HMDS涂布工藝的能力,解決特殊圖形的倒膠問題,提高產(chǎn)品良率。并通過實驗得到相關硬件參數(shù)與HMDS涂布工藝能力之間的關系,來獲得最好的硬件參數(shù)條件。通過設計實驗,確定HM

3、DS蒸汽濃度、反應腔體真空度、HMDS蒸汽更新速率與接觸角之間的關系。以鼓泡式HMDS藥液罐為例,找出鼓泡氮氣壓力與稀釋氮氣壓力與HMDS蒸汽濃度之間的關系。并隨之找出兩者對于接觸角的影響。通過實驗找出HMDS蒸汽流量與反應腔體排氣量對于HMDS蒸汽速率的影響,并找出該兩者對于接觸角的影響。實驗得出對于該功率MOS而言最優(yōu)的硬件設定(鼓泡氮氣壓力、稀釋氮氣壓力、反應腔體真空度、蒸汽流量、反應腔體排氣量)。
　　實驗結果證明本課題研