納米硫化鎘修飾電極的制備及應用研究.pdf

1、硫化鎘是一種重要的Ⅱ-Ⅳ族半導體化合物，室溫下的禁帶寬度為2.4eV，其優(yōu)良的光電性能吸引了科研工作者極大的興趣，并在許多領域表現(xiàn)出了廣闊的應用前景。在光吸收、光電催化、太陽能電池、非線性光學、激光器材、光電二極管、薄膜晶體管、場效應管、邏輯電路和生物傳感器等方面有著廣泛的應用。通過許多物理或化學方法，如固相反應法、微乳液法、化學水浴沉積法、電沉積法等可制備納米硫化鎘。本文以納米硫化鎘作為修飾劑，制備了納米硫化鎘修飾玻碳電極，并就環(huán)境中

2、的污染物和含碘藥物為對象展開研究。
　　 本論文的主要研究工作包括：
　　 1.納米硫化鎘修飾電極的制備及其對鄰苯二酚的檢測應用
　　 采用超聲法合成納米硫化鎘粒子，并用掃描電子顯微鏡對其進行表征。將制得的納米硫化鎘固定在玻碳電極表面，研究了鄰苯二酚在該修飾電極上的電化學行為，用循環(huán)伏安法對電極的響應機理進行探討。該修飾電極在pH6.4的磷酸二氫鉀-硼砂緩沖溶液中對鄰苯二酚具有較好的催化作用，其峰電流值和鄰苯二酚

3、的濃度在4.0×10-3mol/L～3.0×10-6mol/L范圍內(nèi)呈良好的線性關系，檢出限為5.5×10-7mol/L。該修飾電極具有較好的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性，據(jù)此建立了一種方便、快速的檢測鄰苯二酚的測量方法。
　　 2.鎘離子在納米硫化鎘修飾電極上的研究及應用
　　 首次研究了鎘離子在納米硫化鎘修飾玻碳電極上的電化學行為，對其響應機理進行探索。用陽極溶出伏安法對鎘離子進行檢測，在納米硫化鎘修飾電極上出現(xiàn)了良好的溶出峰，并

4、探討了富集時間、富集電位等對鎘離子的峰電流的影響。結果表明，在選擇的最佳條件下，Cd(Ⅱ)的峰電流與濃度在1.0×10-4 mol/L～2.0×10-7～mol/L范圍內(nèi)呈線性關系，最低檢測限可達5.0×10-8mol/L，并且抗干擾能力較強，可應用與污水中Cd(Ⅱ)的監(jiān)測。
　　 3.碘離子在納米硫化鎘修飾電極上的電化學研究及應用
　　 首次研究了碘離子在納米硫化鎘修飾玻碳電極上的電化學行為。用循環(huán)伏安法在0.5mol