金三維納米陣列電極及其在AFB1免疫分析中的應(yīng)用.pdf

1、本文綜述了納米陣列電極以及黃曲霉毒素電化學生物傳感分析的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和進展。制備出三維納米陣列電極（3DNEEs）并對其進行了表征，建立模型對有序3DNEEs的電極過程和動力學參數(shù)進行了模擬。構(gòu)建了基于聚鄰苯二胺（PoPD）修飾3DNEEs（PoPD/3DNEEs）的高靈敏度的無標記阻抗型AFB1免疫傳感器。
　　通過正交實驗對聚碳酸酯濾膜上金的化學沉積條件進行了優(yōu)化。采用SEM、EDX和XRD對3DNEEs的形貌和成分進行表征

2、。結(jié)果表明3DNEEs為純金，納米線直立平行排布。在H2SO4溶液和K3Fe(CN)6/K4Fe(CN)6溶液中對3DNEEs進行表征，3DNEEs的真實面積大于其幾何面積，3DNEEs上擴散層發(fā)生較大重疊，主要為線性擴散，也存在部分徑向擴散。
　　采用Comsol Multiphysics4.4多物理場模擬軟件建立了有序3DNEEs的模型，首次系統(tǒng)地對不同半徑、長度及間距的3DNEEs的循環(huán)伏安行為和阻抗譜進行了模擬。循環(huán)伏安曲

3、線模擬結(jié)果表明，在上存在一個臨界間距dmin，只有納米柱間距大于該值時才可能在一定掃速下出現(xiàn)S形曲線。當納米柱直徑為100 nm，納米柱長度從200 nm~600 nm變化時，dmin與納米柱的表面積具有線性關(guān)系，而固定納米柱的長徑比為3:1，直徑在50nm~400 nm變化時，dmin與納米柱的半徑具有線性關(guān)系。通過阻抗譜模擬和擬合，計算出電極活性面積、傳荷阻抗以及表觀速率常數(shù)等參數(shù)。計算結(jié)果與參數(shù)設(shè)置基本一致。3DNEEs上的阻抗譜

4、在低頻區(qū)出現(xiàn)一段圓弧，表明納米柱上的傳質(zhì)過程受阻擋層擴散的影響。
　　本文制備出梯形和苯胺式兩種不同結(jié)構(gòu)的PoPD/3DNEEs，研究了其在傳感器組裝和檢測中不同溶液中的穩(wěn)定性，結(jié)果表明梯形結(jié)構(gòu)PoPD/3DNEEs具有更好的穩(wěn)定性。本文首次構(gòu)建了基于PoPD/3DNEEs的電化學免疫傳感器對AFB1進行分析。對免疫傳感器分子識別膜組裝過程中的聚合條件、交聯(lián)時間和BSA封閉時間，以及傳感器的測定體系、pH值、免疫反應(yīng)時間進行了優(yōu)化