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1、合肥工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文CMOS帶隙基準(zhǔn)源的研究與設(shè)計姓名：崔磊申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：易茂祥20100301ResearchandDesignofCMOSBandgapReferenceSourceABSTRACTCMOSBandgapReference(BGR)sourceiswidelyusedinmanycircuits，suchasADC，DAC，LDOandotheranalogormixedc
2、ircuitsItiSanessentialblockItsperformancedirectlyaffectstheaccuracyandsystemstabilityInthispaper，threedifferenttypesofBGRusedinpipelineADC，DACandLDOareresearchedResearchanddesigntheBGRinADC，includingthecorecircuit，operat
3、ionalamplifier，biascircuitandstartcircuit。Basingonatypicalbrokawstructure，twoopampsareusedtoachievevoltageclampspacesandprovideastablebiasvoltage，F(xiàn)eedbackdesignetoimprovethebaselinebythepowersupplyrejectionratioTheBGRapp
4、liedinDACusesdifferenttypesofresistancetosecondordercompensationThetemperaturecharacteristicsaresignificantlyimprovedTheBGRappliedinLDOusescompensationofbasecurrentandthesubstratevoltagemoduletechnologyFinally，takingfull
5、accountofvariousfactorsonthebasisoflayout，designthelayoutoftheBGRusedinpipelineADC，andthroughlayoutverificationTheBGRappliedinADC，basedonchart018urnCMOSprocess，with18Vsupplytemperaturecoefficient(TC)is85ppm／oC，Powersuppl
6、yrejectionratio(PSRR)is1102dBTheBGRappliedinDAC，withSMIC035umand33Vsupply，TCis27ppm／oC；PSRRis85dBTheBGRappliedinLDO，withHynix05pmprocessand5VsupplyshowsthatTCis37ppm／oC，PSRRis754dBTheperformanceofthreecircuitscansatisfyt
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