異步軋制對高純電子鋁箔冷軋織構(gòu)的影響.pdf

1、高純鋁箔是制作高壓電容器的關(guān)鍵材料，具有立方取向的晶粒在腐蝕過程中形成隧道蝕坑，有利于獲得高的比電容，因此高純鋁箔高的立方織構(gòu)含量，是獲得高比電容的前提條件。長期以來材料科學工作者不斷地致力于高純鋁箔微取向流變行為的研究，尤其是最近幾年在這一領(lǐng)域取得了很大的進展，但這些成果大都是在同步軋制條件下取得的。本文在異步軋制條件下對高純鋁箔微取向流變行為進行了研究，以期對高純鋁箔在軋制過程中的織構(gòu)變化有根深一步的了解。
　　本文選用高純鋁

2、板，對其進行不同速比，不同形變量的冷軋。采用X射線衍射術(shù)測定樣品宏觀織構(gòu)，利用電子背散射衍射技術(shù)進行微區(qū)織構(gòu)分析，結(jié)合各部分實驗結(jié)果，討論了不同工藝參數(shù)對異步軋制高純鋁箔織構(gòu)和顯微組織的影響。
　　研究表明:異步軋制與同步軋制的冷軋織構(gòu)有較大差異。高純鋁箔在異步軋制冷軋織構(gòu)主要為S織構(gòu){123}＜634＞、C織構(gòu){112}＜111＞和B織構(gòu){011}＜211＞;而同步軋制則主要為S織構(gòu){123}＜634＞和B織構(gòu){011}＜211

3、＞。在異步軋制下，快慢輥兩側(cè)的織構(gòu)含量不同，慢輥側(cè)高于相同參數(shù)的快輥側(cè)含量。相同速比下，隨著形變量增加，S{123}＜634＞織構(gòu)、C{112}＜111＞織構(gòu)的變化趨勢總是相同的，只是含量不同;相應(yīng)的，立方織構(gòu){001}＜100＞、旋轉(zhuǎn)立方織構(gòu){001}＜110＞的變化趨勢也相同;并且S織構(gòu)與立方織構(gòu)、C織構(gòu)與旋轉(zhuǎn)立方織構(gòu)呈現(xiàn)此消彼長的變化趨勢;Goss織構(gòu)始終保持在一個低含量的位置，對快慢輥、形變量、速比都不敏感。速比能夠顯著提高冷軋