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1、有序多孔材料,特別是介孔材料、分子篩和有機(jī)金屬骨架材料等,在吸附、膜分離和催化反應(yīng)過(guò)程領(lǐng)域因其獨(dú)特的性能而應(yīng)用廣泛。吸附和擴(kuò)散分別描述這類過(guò)程中主-客體系的熱力學(xué)及動(dòng)力學(xué)性質(zhì),只有認(rèn)識(shí)了主-客體系的熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué),才能把握過(guò)程本質(zhì),從而為多孔材料的應(yīng)用和過(guò)程設(shè)計(jì)提供定性和定量依據(jù)。為此,本文以分離和反應(yīng)過(guò)程為應(yīng)用背景,分別研究了理想吸附溶液理論(IAST)和過(guò)剩熵標(biāo)度律在混合物吸附平衡性質(zhì)及純組分自擴(kuò)散系數(shù)預(yù)測(cè)中的應(yīng)用。
2、首先,應(yīng)用巨正則蒙特卡羅(GCMC)計(jì)算方法研究了客體分子在多孔材料中的吸附平衡。對(duì)于動(dòng)力學(xué)直徑較小的客體分子CH4/CO2在中孔silica pore和微孔rho-ZMOF材料中的吸附,雖然客體分子均存在離析效應(yīng),但由于低壓下不存在競(jìng)爭(zhēng)吸附,IAST對(duì)混合物吸附等溫線的預(yù)測(cè)結(jié)果與模擬結(jié)果吻合較好。高壓下由于競(jìng)爭(zhēng)吸附程度加大,使IAST預(yù)測(cè)結(jié)果偏離。真實(shí)吸附溶液理論由于考慮了吸附的非理想性而使預(yù)測(cè)結(jié)果好于IAST。進(jìn)一步的,對(duì)于動(dòng)力學(xué)直
3、徑較大的苯和丙烯在微孔MCM-22分子篩中的吸附,客體分子離析效應(yīng)更加明顯。為了改進(jìn)混合物競(jìng)爭(zhēng)吸附性質(zhì)預(yù)測(cè)模型,根據(jù)能量分布界定了吸附質(zhì)在吸附劑表面的三類吸附位點(diǎn),以各向異性IAST理論(HIAST)方法為基礎(chǔ),提出了改進(jìn)的混合物吸附等溫線預(yù)測(cè)模型,其預(yù)測(cè)結(jié)果與模擬結(jié)果吻合較好。
第二,在以上吸附性質(zhì)研究的基礎(chǔ)上,針對(duì)多孔材料中純組分內(nèi)擴(kuò)散系數(shù)關(guān)聯(lián)模型缺乏的問(wèn)題,用分子動(dòng)力學(xué)(Molecular dynamics,MD)和
4、巨正則轉(zhuǎn)換矩陣(Grand-canonical transition-matrix Monte Carlo,GC-TMMC)模擬方法,將體相過(guò)剩熵標(biāo)度律理論擴(kuò)展用于多孔材料受限體系,研究了主—客體構(gòu)型、勢(shì)能作用類型、受限維數(shù)和程度,以及表面粗糙度等因素對(duì)過(guò)剩熵標(biāo)度律的自擴(kuò)散系數(shù)關(guān)聯(lián)效果的影響。
(1)對(duì)于CH4在狹縫,silicapore材料,分子篩(AFI,MFI,MCM-22和FAU)和MOF(IRMOF-1和Na-r
5、ho-ZMOF)材料中的受限擴(kuò)散,結(jié)果表明:孔道表面粗糙度與標(biāo)度律公式指前因子大小成反比。對(duì)CH4在不同孔徑大小的圓柱形silica pore介孔材料中受限結(jié)果則證明,二維受限和表面粗糙時(shí),指前因子A完全受限程度依賴。對(duì)Rosenfeld標(biāo)度律,A正比于Vfree-1/2和1/H;對(duì)Dzugutov標(biāo)度律,A正比于Vfee和H。不同孔型分子篩和MOF材料受限自擴(kuò)散系數(shù)和過(guò)剩熵標(biāo)度律關(guān)聯(lián)結(jié)果表明A大體與Vfee成正比,但孔分布的不均勻性使
6、這種正比關(guān)系不是嚴(yán)格適用。
(2)對(duì)于CO2在狹縫,silica pore材料,MFI和MCM-22分子篩中的受限擴(kuò)散,結(jié)果表明:過(guò)剩熵與自擴(kuò)散系數(shù)存在標(biāo)度律關(guān)系。標(biāo)度律公式指數(shù)因子B均與體相CO2相同,獨(dú)立于受限程度等因素,但在數(shù)值上其大小與主客體構(gòu)型和勢(shì)能作用類型相關(guān)。CO2與主體材料間的靜電作用使標(biāo)度律關(guān)聯(lián)效果存在溫度和濃度依賴。濃度較大,溫度較低時(shí),過(guò)剩熵不能全面描述粒子空間密度分布狀況,可使-sex-Ds*點(diǎn)偏離
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