基于電流測(cè)試的CMOS SRAM測(cè)試方法研究.pdf

1、CMOS SRAM作為IC領(lǐng)域中一個(gè)極為重要的部分,其測(cè)試研究工作對(duì)于保證集成電路產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。傳統(tǒng)的基于電壓測(cè)試的測(cè)試方法已得到了廣泛的應(yīng)用,但這種方法仍然無(wú)法有效地檢測(cè)某些故障。作為電壓測(cè)試方法的補(bǔ)充,電流測(cè)試方法能夠提高故障覆蓋率和產(chǎn)品的可靠性。動(dòng)態(tài)電流提供了一個(gè)觀測(cè)電路內(nèi)部開(kāi)關(guān)性能的新窗口,動(dòng)態(tài)電流測(cè)試方法為進(jìn)一步提高故障覆蓋率提供了可能。
　　本文在深入研究SRAM結(jié)構(gòu)原理、工作原理的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了4

2、-bit X4-bit CMOS SRAM,作為對(duì)SRAM進(jìn)行動(dòng)態(tài)電流測(cè)試研究的基礎(chǔ)電路。在深刻理解SRAM故障模型基礎(chǔ)上,通過(guò)故障注入和轉(zhuǎn)換寫(xiě)操作或者讀操作,完成了對(duì)SRAM開(kāi)路故障、短路故障、圖形敏感故障的故障模擬。通過(guò)HSPICE軟件觀測(cè)了故障單元與無(wú)故障單元的動(dòng)態(tài)電源電流波形。通過(guò)比較二者的動(dòng)態(tài)電源電流波形圖說(shuō)明了用動(dòng)態(tài)電流檢測(cè)CMOS SRAM故障是可行的。在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了SRAM電流可測(cè)試性結(jié)構(gòu),以有效地檢測(cè)CMOS SRA