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文檔簡(jiǎn)介
1、針對(duì)冶金硅純度較低的問題，采用短時(shí)間濃磷擴(kuò)散吸雜工藝來提高原始冶金硅片的少子壽命。研究不同時(shí)間、溫度、磷源流量吸雜對(duì)冶金硅片少子壽命的影響，并篩選其最佳工藝條件。用WT-1200少子壽命測(cè)試儀、RTS-4四探針測(cè)試儀、BACCINI電池分類檢測(cè)系統(tǒng)、7-SCSpec太陽電池光譜性能測(cè)試儀對(duì)冶金硅電池的少子壽命、方塊電阻、電阻率、電性能和量子效率等進(jìn)行測(cè)試。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果給出:去除硅片表面損傷后，經(jīng)950℃、磷源流量300ml/mi
2、n和30min的短時(shí)間磷吸雜，使原始冶金硅裸片的少子壽命從1.1μs提高到2us，提高了80.18％。磷吸雜后的冶金硅片表面平均方塊電阻9Ω/□、平均電阻率0.18Ω·cm。將此項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)中，保持吸雜時(shí)間和溫度不變，調(diào)整磷源流量至720ml/min，吸雜效果良好。小批量生產(chǎn)冶金硅電池時(shí)，將磷源流量增到800ml/min。制備的冶金硅電池的平均開路電壓、短路電流、填充因子和轉(zhuǎn)換效率比未吸雜的電池分別增加了0.16％、1.1％、0.27
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