堿性液腐蝕冶金多晶硅太陽電池表面結(jié)構(gòu)的研究.pdf

1、本研究用NaOH-NaClO3堿性腐蝕液制備冶金多晶硅表面織構(gòu)，研究腐蝕液的配比、腐蝕溫度和時間等因素對表面織構(gòu)的影響。經(jīng)過大量的對比實驗，得到用NaOH-NaClO3體系腐蝕制備的多晶硅表面織構(gòu)的最佳工藝條件:溫度80℃，溶液配比NaClO3∶ NaOH=7∶1(wt％)，腐蝕40秒。腐蝕得到的表面織構(gòu)呈類金字塔結(jié)構(gòu)，織構(gòu)分布均勻致密，可起到良好的減反射作用。冶金多晶硅表面的反射率測試給出:在入射光波長為650nm左右，用NaOH-N

2、aClO3堿性腐蝕液制備的冶金多晶硅表面反射率為20.7％，比用HF-HNO3酸性體系腐蝕的冶金多晶硅表面反射率低1.8％。表明用廉價的堿性腐蝕液同樣可制出效果良好的表面織構(gòu)。將本研究成果用于生產(chǎn)少量冶金多晶硅太陽電池（156×156 mm2），得到良好的表面減反射效果，使短路電流可達(dá)到8.44安培，比用常規(guī)HF-HNO3酸性腐蝕制作的同批電池高出3.2％。量子效率測試結(jié)果顯示:在300-650nm波長范圍內(nèi)，用堿性腐蝕液制備織構(gòu)的冶金