多晶硅太陽(yáng)電池關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、本論文依據(jù)多晶硅結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，對(duì)多晶硅太陽(yáng)電池制備的關(guān)鍵技術(shù)：多晶硅絨面織構(gòu)、擴(kuò)散和表面鈍化等進(jìn)行了研究。 多晶硅有的晶粒上絨面減反射效果較差，多晶硅堿絨面織構(gòu)的減反射效果不如單晶硅好。酸絨面織構(gòu)可以改善其減反射效果，通過(guò)實(shí)驗(yàn)，酸絨面織構(gòu)表面對(duì)波長(zhǎng)為400-1000nm的光反射率降低到20％以下，比堿絨面織構(gòu)多晶硅的反射率小8個(gè)百分點(diǎn)。 多晶硅擴(kuò)散后方塊電阻隨溫度變化比單晶硅更明顯，擴(kuò)散溫度較低時(shí)多晶硅擴(kuò)散方塊電阻比單晶硅

2、大，溫度較高時(shí)，多晶硅擴(kuò)散方塊電阻比單晶硅小；800℃氧化后，多晶硅方塊電阻比氧化前增加，900℃氧化后方塊電阻比氧化前減小，本論文解釋了這兩種現(xiàn)象。 經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：采用變溫?cái)U(kuò)散可以改善多晶硅太陽(yáng)電池性能，最初擴(kuò)散溫度是900-950℃，后一段時(shí)間溫度是850-870℃。本論文研究了PECVD沉積氮化硅的表面鈍化工藝，結(jié)合氮化硅減反射膜的特點(diǎn)，對(duì)研制多晶硅太陽(yáng)電池工藝進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)一步改善了多晶硅太陽(yáng)電池性能，使多晶硅太陽(yáng)電池效