多晶硅太陽電池新型表面光學(xué)系統(tǒng)的研制.pdf

1、用低成本的堿性腐蝕液制作太陽能級多晶硅片表面陷光結(jié)構(gòu)，再匹配合適的雙層氮化硅減反射膜，構(gòu)成新型多晶硅表面光學(xué)系統(tǒng)。由NaOH∶NaNO2=1∶1（質(zhì)量比，75～80℃）腐蝕25秒，用掃描電鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)給出硅片的表面形貌是類似片狀的溝槽織構(gòu)。用紫外可見分光光度計(jì)測試顯示，硅片表面反射率降至21.9％（λλ=650nm），再沉積78～85nm厚，折射率為1.98～2.03的雙層氮化硅減反射膜，使多晶硅表面光學(xué)系統(tǒng)的反

2、射率降到3％以下（λλ=650nm），減反射效果明顯。研制出的多晶硅太陽電池片(156×156mm2)，轉(zhuǎn)換效率為15.6％，短路電流達(dá)到8.5A。進(jìn)而，對太陽能級冶金多晶硅進(jìn)行表面陷光結(jié)構(gòu)的研制。實(shí)驗(yàn)結(jié)果給出:最有效的工藝是由HF∶HNO3∶H2O=1∶2.5∶2（體積比，20±2℃）腐蝕30秒，冶金硅表面形成均勻的凹槽狀腐蝕坑，減反射效果良好，其反射率可降低到21％（λλ=650nm）。此外，還研制新型類單晶硅片表面陷光結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)給