GaN肖特基紫外探測器電流輸運機制研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、GaN肖特基紫外探測器在紫外探測方面具有很多的優(yōu)越性，但其異常大的漏電流，嚴(yán)重影響了探測器的性能和應(yīng)用。本論文主要針對GaN肖特基紫外探測器的電流輸運機制進行了研究，主要包括以下內(nèi)容：
　　 1．對已提出的各種GaN基肖特基漏電流模型進行了分析，認(rèn)為其電流成分并不單一，它是各種電流成分的集體效應(yīng)，空間電荷限制電流理論（SCLC）控制的電流成分占主導(dǎo)地位。
　　 2．對由金屬有機物化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）生長的金屬-G

2、aN肖特基紫外探測器樣品的I-V和I-V-T曲線進行分析，認(rèn)為空間電荷限制電流（SCLC）機制控制的電流成分占主導(dǎo)地位，對于兩個轉(zhuǎn)換電壓V1、V2，在VV2的區(qū)域電流電壓遵循SCLC平方率，并對其產(chǎn)生的原因進行了分析。
　　 3．運用AMPS-1D模擬軟件對肖特基結(jié)型GaN紫外探測器的電流電壓特性進行了模擬，我們發(fā)現(xiàn)熱電子發(fā)射理論控制下的暗電

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