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文檔簡介
1、本論文主要研究高分子IDTBT薄膜晶體管的物理特性及電輸運性質，包括載流子遷移率、開關比以及電荷傳導機制。利用離子凝膠為電介質的電化學和以CYTOP為電介質的界面載流子引入，我們分別制備了IDTBT薄膜晶體管和場效應晶體管，測量了兩種器件在大氣與真空中的遷移率及開關比，并觀察到載流子跳躍傳導。我們的結果顯示，電化學摻雜的薄膜晶體管器件在真空中性能更好，開關比可達106，遷移率最高約為0.2cm2V?1s?1，相同結構形態(tài)下的場效應晶體管
2、遷移率為1.5cm2V?1s?1。這些結果可以從IDTBT的材料結構的特殊性及兩種載流子引入方式對載流子跳躍傳導的影響來解釋。
本研究的原創(chuàng)性在于首次將離子凝膠摻雜技術應用于在襯底上為面堆疊排布的高遷移率有機半導體IDTBT，摻雜引起的高載流子濃度~1021cm?3將薄膜電導率提高近六個數(shù)量級。輸運測量的結果顯示，溫度低至12K，電阻率隨溫度的變化依然與3D莫特變程跳躍理論吻合。這些工作為更好地理解并實現(xiàn)高遷移率有機材料提供了
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