硒化物(Cu2-xSe,ZnSe)納米-微米結(jié)構(gòu)的合成及性質(zhì)研究.pdf

1、Ⅱ-Ⅵ族化合物納米材料由于廣泛運用在光致發(fā)光、激光器、波導、電光調(diào)節(jié)器、太陽能電池、場效應晶體管、光電探測器、光催化、納米壓電發(fā)動機等領(lǐng)域，而備受關(guān)注。硒化物是重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物納米材料的一種，廣泛運用在非線性光學材料、光敏感材料、光催化材料、半導體發(fā)光器件、熱電材料等領(lǐng)域。本文選取Cu2-xSe、ZnSe為研究對象。
　　本文利用改良復合堿媒介法(M-CHM)制備了Cu2-xSe納米線，ZnSe微米花球以及三元溶劑法制備了球形

2、花狀分層結(jié)構(gòu)ZnSe，并對其性質(zhì)進行了一定的研究。研究結(jié)果如下：
　?、儆肕-CHM制備出了長達50μm的單晶Cu2-xSe納米線，單根納米線的寬度大約為200nm。討論了單一堿、不同復合堿含量、不同含水量以及不同生長時間對Cu2-xSe納米晶形貌的影響，并對Cu2-xSe納米線的機理進行了分析。紫外-可見光-近紅外反射光譜表明Cu2-xSe納米線在紫外和近紅外有吸收，對應于一個直接帶隙2.38eV和間接帶隙1.12eV。通過此方

3、法合成的納米線在太陽能電池以及近紅外光學器件上具有潛在的運用價值。另外研究了Cu2-xSe納米線薄膜的熱電性質(zhì)，Cu2-xSe薄膜的賽貝克系數(shù)Sf約為180μV/K，正的賽貝克系數(shù)表明實驗合成的Cu2-xSe納米晶呈p型半導體性質(zhì)。
　?、谝訸n粉，Se粉為前軀體，用改良復合堿媒介(M-CHM)法在200℃下經(jīng)24h-48h反應合成了3μm的ZnSe微米球以及二維納米片組裝成的4~6μm的三維ZnSe微米花球材料，整個微米球的尺寸

4、約為4~6μm，對樣品進行了XRD、SEM、EDS、UV-vis表征。進一步研究了ZnSe微米花球、ZnSe微米球在模擬太陽光(100mW/cm2)照射下對亞甲基藍和甲基橙的光催化降解活性。
　?、弁ㄟ^溶劑熱法在NH3?H2O-ethylenediamine(en)-N2H4?H2O三元體系中成功制備了球形花狀分層結(jié)構(gòu)ZnSe的前驅(qū)物Zn(en)0.5。通過熱重和熱流分析，在500°C流動的氮氣氛圍中退火1h得到球形花狀分層結(jié)構(gòu)Z

5、nSe，同時形貌可以得到很好的保存。球形花狀分層結(jié)構(gòu)ZnSe，粒徑大約為5μm，而單獨的每個“花”是由大量厚度為20-50nm的規(guī)則的納米片組裝而成。
　?、苎芯苛瞬煌L時間對ZnSe形貌的影響以及NH3?H2O-ethylenediamine(en)-N2H4?H2O三元體系的協(xié)同效應，知對于球形花狀分層結(jié)構(gòu)ZnSe的制備，三元缺一不可。同時對ZnSe球形花狀分層結(jié)構(gòu)的生長機理、ZnSe的紫外-可見光吸收、光致發(fā)光、ZnSe球