已閱讀1頁，還剩66頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、工程碩士學(xué)位論文基于200VSOIBCD工藝的LDMOS的設(shè)計(jì)與優(yōu)化獨(dú)創(chuàng)性聲明東南大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得東南大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意。研究生簽名：]!魚日期：
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 200V寬SOA SOI-LDMOS設(shè)計(jì)及評估.pdf
- 200V SOI-LDMOS器件SPICE動(dòng)態(tài)模型研究.pdf
- 基于BCD工藝的700V LDMOS設(shè)計(jì).pdf
- 200V SOI工藝高壓ESD保護(hù)器件設(shè)計(jì).pdf
- 200V SOI-PLDMOS器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)及其可靠性分析.pdf
- 200V SOI-LIGBT SPICE宏模型的研究.pdf
- 200V SOI-LIGBT器件的SPICE模型研究與應(yīng)用.pdf
- 200V SOI深槽隔離結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和可靠性研究.pdf
- 200V SOI-LIGBT器件ESD響應(yīng)特性與行為模型研究.pdf
- 200V功率SOI-PLDMOS器件熱載流子退化機(jī)理研究.pdf
- 利用TCAD軟件優(yōu)化兼容于BCD工藝的LDMOS結(jié)構(gòu).pdf
- 兼容700V LDMOS的BCD工藝中若干問題的研究.pdf
- 200V大功率VDMOSFET設(shè)計(jì)研究.pdf
- BCD工藝70V LDMOS器件熱載流子可靠性研究.pdf
- 200V功率SOI-LIGBT器件熱載流子退化機(jī)理及壽命模型研究.pdf
- SOI階梯摻雜LDMOS的設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn).pdf
- PDP行驅(qū)動(dòng)芯片用200V PLDMOS設(shè)計(jì).pdf
- 200V三相半橋柵驅(qū)動(dòng)電路的分析與設(shè)計(jì).pdf
- -200V P溝道功率MOS單粒子加固設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
- 射頻SOI-LDMOS器件設(shè)計(jì).pdf
評論
0/150
提交評論