基于GMR的地磁定向方法研究.pdf

1、巨磁電阻(GMR)效應(yīng)是指將反鐵磁偶合的三層納米膜電阻元件置于一定的磁場中,GMR的電阻率發(fā)生劇烈的變化,其磁靈敏度與一般磁敏元器件相比要高數(shù)倍,這一現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)立即引起了社會(huì)各界的廣泛關(guān)注。該效應(yīng)的應(yīng)用面極其廣泛,尤其在磁盤讀寫領(lǐng)域做出了突出的貢獻(xiàn),使得磁碟式硬盤的存儲(chǔ)容量劇增。目前主要應(yīng)用于自動(dòng)化、汽車工業(yè)、導(dǎo)航技術(shù)等領(lǐng)域。
　　 本文首先介紹了GMR效應(yīng)的發(fā)展歷史以及目前國內(nèi)外的發(fā)展?fàn)顩r,闡述了GMR效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理以及自旋閥

2、多層膜GMR的制備,并應(yīng)用GMR傳感器設(shè)計(jì)出一套地磁定向系統(tǒng),并對目標(biāo)方向進(jìn)行測量。GMR效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理主要是源于鐵磁體的自發(fā)磁化和自旋電子的散射機(jī)制。本文給出了電流雙通道模型,從而更形象的解釋了在反鐵磁偶合的三層納米膜中存在GMR效應(yīng)的原因。并簡單介紹了自旋閥多層膜GMR的制備工藝流程。在硬件方面,本次設(shè)計(jì)給出一套基于AT89C51作為控制核心的檢測電路。使用步進(jìn)電機(jī)作為載體,將傳感器置于其上,經(jīng)A／D采集之后將數(shù)據(jù)返回給AT89C5