SIPOS薄膜工藝及其穩(wěn)定性研究.pdf

1、SIPOS(semi-insulating polycrystalline silicon)半絕緣多晶硅薄膜在半導(dǎo)體器件特別是一些高壓器件的鈍化中有著廣泛的應(yīng)用。由于二氧化硅中有固定正電荷，難于制造高壓平面器件，SIPOS薄膜具有電中性和半絕緣性，彌補了二氧化硅的不足，從根本上改變了二氧化硅的鈍化效果，其不僅能夠提升器件的反向擊穿電壓，而且也極大地提高了器件的可靠性。SIPOS薄膜鈍化工藝的研究對半導(dǎo)體器件的發(fā)展有著及其重要的影響。

2、r>　　 由于SIPOS薄膜工藝涉及的輸入?yún)?shù)較多，工藝條件存在著一定的波動性，同時參數(shù)之間還會存在交互影響，加上一些干擾因素，要獲得較好的工藝參數(shù)及良好的工藝穩(wěn)定性具有一定的困難，從而導(dǎo)致器件特性出現(xiàn)異常及較高的產(chǎn)品重工率。
　　 本文介紹了半導(dǎo)體器件的主要工藝、沉積SIPOS薄膜的低壓化學(xué)氣相沉積LPCVD(low pressurechemical vapordeposition)系統(tǒng)及沉積的條件，闡述了SIPOS薄膜的器

3、件鈍化機理及工藝過程中各參數(shù)對薄膜特性及器件特性的影響。通過研究SIPOS工藝中的各個輸入?yún)?shù)，如溫度、真空壓、氣體流量、氣體比例等，篩選出影響SIPOS薄膜工藝的顯著參數(shù)，然后對顯著參數(shù)進行試驗設(shè)計DOE(design ofexperiment)分析，通過對試驗數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析及試驗?zāi)Ｐ偷耐茖?dǎo)，得出相關(guān)工藝參數(shù)與產(chǎn)品電學(xué)性能之間的關(guān)系模型公式，并對工藝參數(shù)進行優(yōu)化設(shè)計。此外，在工藝優(yōu)化的基礎(chǔ)上，提出了高效的工藝穩(wěn)定性控制的方法，并在工程