多層硅硅直接鍵合實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、隨著MEMS技術(shù)的發(fā)展，直接鍵合技術(shù)由于其較好的鍵合質(zhì)量，以及相對于其他鍵合技術(shù)對被鍵合材料的限制較少，受到了廣泛的關(guān)注。但現(xiàn)在大部分的研究均集中在鍵合理論研究本身，工藝試驗(yàn)大部分是雙片鍵合，而對鍵合難度更大，實(shí)驗(yàn)要求更高，應(yīng)用范圍更廣的多層鍵合技術(shù)，卻少有提及。本文在已有的硅片直接鍵合理論研究基礎(chǔ)之上，進(jìn)行了大量的實(shí)驗(yàn)，著眼于解決多層鍵合中的缺陷控制問題，找出了一種能實(shí)現(xiàn)多層直接鍵合的可行的工藝方案，具體工作如下：
　　 ⑴通

2、過設(shè)計(jì)兩組正交實(shí)驗(yàn)，研究了預(yù)處理工藝中，RCA1溶液各參數(shù)對硅片表面接觸角及硅片表面形貌的影響，通過分析，優(yōu)化了處理工藝。
　　 ⑵通過多次實(shí)驗(yàn)，比較了不同的預(yù)鍵合方案的優(yōu)劣，并最終選擇了UV光照活化的預(yù)鍵合方案。
　　 ⑶研究了實(shí)現(xiàn)多層直接鍵合的實(shí)驗(yàn)步驟，設(shè)計(jì)并改進(jìn)了鍵合甩干夾具，并通過實(shí)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了硅片的多層直接鍵合。
　　 ⑷提出了一種基于硅硅多層直接鍵合工藝的三維微模具制造方法，以解決采用非晶合金材料加工微